W25Q16JVSSIQ SPI NOR Flash芯片 SOIC8 蓝信伟业
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W25Q16JVSSIQ特征:
是一款 SPI NOR Flash 芯片,具有小体积、低功耗、高可靠等特点,支持标准 SPI、Dual SPI、Quad SPI 三种模式,内置 ECC 功能,可检测并纠正单 bit 错误。
 
W25Q16JVSSIQ概述:
W25Q16JV(16M位)串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超过普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM,直接从双/四SPI(XIP)执行代码,并存储语音、文本和数据。该装置在单个2.7V至3.6V电源上运行,断电时电流消耗低至1μa。
 
W25Q16JV阵列被组织成8192个可编程页,每个页256字节。一次最多可编程256个字节。可以按16组(4KB扇区擦除)、128组(32KB块擦除)、256组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)擦除页面。W25Q16JV分别有512个可擦除扇区和32个可擦除块。小型4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。(见图2。)
W25Q16JV支持标准串行外围接口(SPI)和高性能双/四路输出以及双/四路I/O SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2和I/O3。当使用快速读取双/四通道输入/输出指令时,支持高达133MHz的SPI时钟频率,允许双通道输入/输出的等效时钟速率为266MHz(133MHz x 2),四通道输入/输出的等效时钟速率为532MHz(133MHz x 4)。这些传输速率可以优于标准的异步8位和16位并行闪存。
 
此外,该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID以及SFDP寄存器、64位唯一序列号和三个256字节的安全寄存器。
 
W25Q16JVSSIQ参数:
存储容量为 16Mb(2MB),工作电压为 2.7V 至 3.6V,待机电流仅 1μA,深度掉电模式下可低至 0.1μA,擦写寿命支持 10 万次扇区擦写或 100 万次页编程,数据在 85℃高温环境下可稳定保存 20 年。
 
应用场景:
▲广泛应用于各类需要非易失性存储的嵌入式系统,如工业自动化控制、智能家居、智能仪表、汽车电子等领域。
 
 
 
W25Q16JVSSIQ特征:
是一款 SPI NOR Flash 芯片,具有小体积、低功耗、高可靠等特点,支持标准 SPI、Dual SPI、Quad SPI 三种模式,内置 ECC 功能,可检测并纠正单 bit 错误。
 
W25Q16JVSSIQ概述:
W25Q16JV(16M位)串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超过普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM,直接从双/四SPI(XIP)执行代码,并存储语音、文本和数据。该装置在单个2.7V至3.6V电源上运行,断电时电流消耗低至1μa。
 
W25Q16JV阵列被组织成8192个可编程页,每个页256字节。一次最多可编程256个字节。可以按16组(4KB扇区擦除)、128组(32KB块擦除)、256组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)擦除页面。W25Q16JV分别有512个可擦除扇区和32个可擦除块。小型4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。(见图2。)
W25Q16JV支持标准串行外围接口(SPI)和高性能双/四路输出以及双/四路I/O SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2和I/O3。当使用快速读取双/四通道输入/输出指令时,支持高达133MHz的SPI时钟频率,允许双通道输入/输出的等效时钟速率为266MHz(133MHz x 2),四通道输入/输出的等效时钟速率为532MHz(133MHz x 4)。这些传输速率可以优于标准的异步8位和16位并行闪存。
 
此外,该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID以及SFDP寄存器、64位唯一序列号和三个256字节的安全寄存器。
 
W25Q16JVSSIQ参数:
存储容量为 16Mb(2MB),工作电压为 2.7V 至 3.6V,待机电流仅 1μA,深度掉电模式下可低至 0.1μA,擦写寿命支持 10 万次扇区擦写或 100 万次页编程,数据在 85℃高温环境下可稳定保存 20 年。
 
应用场景:
▲广泛应用于各类需要非易失性存储的嵌入式系统,如工业自动化控制、智能家居、智能仪表、汽车电子等领域。
 
 
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
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