TPS543B20RVFT 具有自适应内部补偿功能的 4V 至 19V、25A 同步 SWIFT™ 降压转换器
TPS543B20RVFT 具有自适应内部补偿功能的 4V 至 19V、25A 同步 SWIFT™ 降压转换器
TPS543B20 采用内部补偿的仿真峰值电流模式控制方式,具有适用于 EMI 敏感型 POL 的时钟同步固定频率调制器。内部积分器和直接放大式斜坡跟踪环路在较宽频率范围内消除了对外部补偿的需求,从而使系统设计具有灵活、密集和简单的特点。可选的 API 和体制动功能有助于分别通过显著减少下冲和过冲来提高瞬态性能。具有低损耗开关特性的集成式 NexFET™MOSFET 有助于提高效率和提供高达 25A 的输出电流(采用 5mm × 7mm 的 PowerStack™封装,带有方便布局的散热垫)。两个 TPS
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TPS543B20RVFT特征
●内部补偿高级电流模式控制 25A POL
●输入电压范围:4V 至 19V
●输出电压范围:0.6V 至 5.5V
●集成 4.1/1.9mΩ 堆叠式 NexFET™功率级,带有无损低侧电流检测功能
●固定频率 - 同步到外部时钟和/或同步输出
●可通过引脚搭接进行编程的开关频率
 独立模式下为 300kHz 至 2MHz
 堆叠模式下为 300kHz 至 1MHz
●通过双倍堆叠实现高达 50A 负载,并具有电流共享、电压共享和 CLK 同步功能
●可通过引脚搭接进行编程的基准电压介于 0.6V 至 1.1V 之间,精度达 0.5%
●差分遥感
●安全启动至预偏置输出电压
●高精度打嗝电流限制
●异步脉冲注入 (API) 和体制动
●40 引脚 5mm × 7mm LQFN 封装,具有 0.5mm 间距和单个散热垫
●使用 TPS543B20 并借助 WEBENCH® 电源设计器创建定制设计方案
 
TPS543B20RVFT说明
TPS543B20 采用内部补偿的仿真峰值电流模式控制方式,具有适用于 EMI 敏感型 POL 的时钟同步固定频率调制器。内部积分器和直接放大式斜坡跟踪环路在较宽频率范围内消除了对外部补偿的需求,从而使系统设计具有灵活、密集和简单的特点。可选的 API 和体制动功能有助于分别通过显著减少下冲和过冲来提高瞬态性能。具有低损耗开关特性的集成式 NexFET™MOSFET 有助于提高效率和提供高达 25A 的输出电流(采用 5mm × 7mm 的 PowerStack™封装,带有方便布局的散热垫)。两个 TPS543B20 器件可以堆叠在一起,以便提供高达 50A 的负载点。
 
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传真:+86-755-83687442
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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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