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2N7002KQ-7 N沟道增强型功率MOSFET
2N7002KQ-7 N沟道增强型功率MOSFET
N沟道增强型功率MOSFET
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2N7002KQ-7 的说明
N沟道增强型功率MOSFET
 
 
2N7002KQ-7 的特性
■VDS=60V，ID=0.3A
■RDS（ON）<3Ω@VGS=4.5V
■RDS（ON）<2.2Ω@VGS=10V
■高功率和电流处理能力
■获得无铅产品
■表面贴装封装
■ESD额定值：HBM≥1500V
 
2N7002KQ-7 的说明
N沟道增强型功率MOSFET
 
 
2N7002KQ-7 的特性
■VDS=60V，ID=0.3A
■RDS（ON）<3Ω@VGS=4.5V
■RDS（ON）<2.2Ω@VGS=10V
■高功率和电流处理能力
■获得无铅产品
■表面贴装封装
■ESD额定值：HBM≥1500V
 
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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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