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GD25Q80CTIGR 3.3V 均匀扇区双通道和四通道串行闪存
GD25Q80CTIGR 3.3V 均匀扇区双通道和四通道串行闪存
GD25Q80CTIGR  3.3V 均匀扇区双通道和四通道串行闪存
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■GD25Q80CTIGR 说明 
GD25Q80C（8M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）和I/O3（保持）。 双I/O数据以240Mbits/s的速度传输，四I/O和四输出数据以480Mbits/s的速度传输。
 
■GD25Q80CTIGR 特征
◆8M位串行闪存：
1024K字节； 每个可编程页面256字节；
 
◆标准、双、四SPI：
标准SPI:SCLK，CS#，SI，SO，WP#，HOLD#； 双SPI:SCLK，CS#，IO0，IO1，WP#，HOLD#； 四SPI:SCLK，CS#，IO0，IO1，IO2，IO3；
 
◆高速时钟频率：
120MHz用于30PF负载的快速读取； 双I/O数据传输高达240Mbits/s； 四I/O数据传输高达480Mbits/s；
 
◆软硬件写保护：
通过软件对所有/部分内存进行写保护； 使用WP引脚启用/禁用保护； 顶部/底部块保护；
 
◆允许XIP（就地执行）操作：
连续读取，8/16/32/64字节换行；
 
◆至少100000个程序/擦除周期：
 
◆快速编程/擦除速度：
页面程序时间：典型0.6ms；扇区擦除时间：典型45ms；块擦除时间：典型0.15/0.25s； 芯片擦除时间：典型4s；
 
◆灵活的架构：
4K字节的统一扇区； 32/64K字节的统一块；
 
◆低功耗：
1μA典型深度断电电流； 1μA典型待机电流；
 
◆先进的安全功能：
每个设备的128位唯一ID； 带OTP锁的4x256字节安全寄存器； 可发现参数（SFDP）寄存器；
 
◆单电源电压：
全电压范围：2.7~3.6V；
■GD25Q80CTIGR 说明 
GD25Q80C（8M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）和I/O3（保持）。 双I/O数据以240Mbits/s的速度传输，四I/O和四输出数据以480Mbits/s的速度传输。
 
■GD25Q80CTIGR 特征
◆8M位串行闪存：
1024K字节； 每个可编程页面256字节；
 
◆标准、双、四SPI：
标准SPI:SCLK，CS#，SI，SO，WP#，HOLD#； 双SPI:SCLK，CS#，IO0，IO1，WP#，HOLD#； 四SPI:SCLK，CS#，IO0，IO1，IO2，IO3；
 
◆高速时钟频率：
120MHz用于30PF负载的快速读取； 双I/O数据传输高达240Mbits/s； 四I/O数据传输高达480Mbits/s；
 
◆软硬件写保护：
通过软件对所有/部分内存进行写保护； 使用WP引脚启用/禁用保护； 顶部/底部块保护；
 
◆允许XIP（就地执行）操作：
连续读取，8/16/32/64字节换行；
 
◆至少100000个程序/擦除周期：
 
◆快速编程/擦除速度：
页面程序时间：典型0.6ms；扇区擦除时间：典型45ms；块擦除时间：典型0.15/0.25s； 芯片擦除时间：典型4s；
 
◆灵活的架构：
4K字节的统一扇区； 32/64K字节的统一块；
 
◆低功耗：
1μA典型深度断电电流； 1μA典型待机电流；
 
◆先进的安全功能：
每个设备的128位唯一ID； 带OTP锁的4x256字节安全寄存器； 可发现参数（SFDP）寄存器；
 
◆单电源电压：
全电压范围：2.7~3.6V；
QQ:800007218
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