热销产品
查看更多 >>
首页产品大全VISHAY/威世
SI2309CDS-T1-GE3 P沟道增强型功率MOSFET 封装SOT-23-3 深圳市蓝信伟业电子有限公司
SI2309CDS-T1-GE3 P沟道增强型功率MOSFET 封装SOT-23-3 深圳市蓝信伟业电子有限公司
SI2309CDS-T1-GE3   P沟道增强型功率MOSFET    封装SOT-23-3  深圳市蓝信伟业电子有限公司
价格: ￥2.260 - ￥3.500
库存: 3000
积分: 0
数量：
数量 单价 折扣
1-99 ￥3.50 ￥0
100-999 ￥3.00 ￥0.5
>=1000 ￥2.26 ￥1.24
        
详细介绍
商品属性
售后服务
评价信息(0)
商品咨询
SI2309CDS-T1-GE3   P沟道增强型功率MOSFET    封装SOT-23-3  深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●低导通电阻：具有较低的导通电阻（RDS(ON)），有助于减少在导通状态下的功率损耗，提高电路的效率。
●高开关速度：能够快速响应栅极电压的变化，实现快速的开关动作，适用于高频开关电路。
●高反向电压承受能力：能够承受较高的反向电压（Vds），为电路提供可靠的保护。
●紧凑的尺寸：采用SOT-23-3封装，具有紧凑的尺寸，便于在PCB上进行布局。
●稳定的性能：采用先进的制造工艺和材料，确保产品在各种环境下都能稳定可靠地工作。
 
说明：
SI2309CDS-T1-GE3是一款高性能的P沟道增强型功率MOSFET，专为需要高效率、高可靠性和高频开关的应用场景设计。它结合了低导通电阻、高开关速度、高反向电压承受能力和紧凑的尺寸等优点，适用于各种低功率开关、电流控制和模拟开关等领域。
 
关键参数：
●沟道类型 P沟道
●漏源极电压（Vds） -60V
●连续漏极电流（Id） -5.2A
●导通电阻（RDS(ON)） 40mΩ @ 10V      48mΩ @ 4.5V
●栅源极阈值电压（Vgs(th)） -2V
●栅极电压范围（Vgs） ±20V
●封装类型 SOT-23-3
●工作温度范围 -55°C至150°C
●耗散功率（Pd） 1W (Ta)
 
应用场景：
●低功率开关：
在便携式设备、汽车电子、家用电器等领域，SI2309CDS-T1-GE3可作为低功率开关元件，用于控制电路的通断。
●电流控制：
在电机驱动、电源管理等应用中，通过控制栅极电压，可以精确调节通过MOSFET的电流大小，实现电流的精确控制。
●模拟开关：
在模拟电路中，SI2309CDS-T1-GE3可用作模拟开关，实现信号的切换和传输。
●电源管理：
在电源管理电路中，SI2309CDS-T1-GE3可用于实现电池的充放电控制、过流保护等功能。
●紧凑型应用：
由于其紧凑的尺寸和高效的性能，SI2309CDS-T1-GE3特别适用于空间受限的紧凑型应用场景。
 
SI2309CDS-T1-GE3   P沟道增强型功率MOSFET    封装SOT-23-3  深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●低导通电阻：具有较低的导通电阻（RDS(ON)），有助于减少在导通状态下的功率损耗，提高电路的效率。
●高开关速度：能够快速响应栅极电压的变化，实现快速的开关动作，适用于高频开关电路。
●高反向电压承受能力：能够承受较高的反向电压（Vds），为电路提供可靠的保护。
●紧凑的尺寸：采用SOT-23-3封装，具有紧凑的尺寸，便于在PCB上进行布局。
●稳定的性能：采用先进的制造工艺和材料，确保产品在各种环境下都能稳定可靠地工作。
 
说明：
SI2309CDS-T1-GE3是一款高性能的P沟道增强型功率MOSFET，专为需要高效率、高可靠性和高频开关的应用场景设计。它结合了低导通电阻、高开关速度、高反向电压承受能力和紧凑的尺寸等优点，适用于各种低功率开关、电流控制和模拟开关等领域。
 
关键参数：
●沟道类型 P沟道
●漏源极电压（Vds） -60V
●连续漏极电流（Id） -5.2A
●导通电阻（RDS(ON)） 40mΩ @ 10V      48mΩ @ 4.5V
●栅源极阈值电压（Vgs(th)） -2V
●栅极电压范围（Vgs） ±20V
●封装类型 SOT-23-3
●工作温度范围 -55°C至150°C
●耗散功率（Pd） 1W (Ta)
 
应用场景：
●低功率开关：
在便携式设备、汽车电子、家用电器等领域，SI2309CDS-T1-GE3可作为低功率开关元件，用于控制电路的通断。
●电流控制：
在电机驱动、电源管理等应用中，通过控制栅极电压，可以精确调节通过MOSFET的电流大小，实现电流的精确控制。
●模拟开关：
在模拟电路中，SI2309CDS-T1-GE3可用作模拟开关，实现信号的切换和传输。
●电源管理：
在电源管理电路中，SI2309CDS-T1-GE3可用于实现电池的充放电控制、过流保护等功能。
●紧凑型应用：
由于其紧凑的尺寸和高效的性能，SI2309CDS-T1-GE3特别适用于空间受限的紧凑型应用场景。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
用微信扫一扫二维码，即可自动储存联系方式！  
为您推荐