C3M0280090J 高性能碳化硅 CREE/科锐 封装TO263-7 蓝信伟业
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C3M0280090J 高性能碳化硅 CREE/科锐  封装TO263-7 蓝信伟业
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C3M0280090J特征:
N沟道增强型SiC MOSFET,碳化硅材质,低导通电阻,高耐压,快速开关速度,TO-247-3 封装,散热性能优异,适合高压大功率场景。
 
C3M0280090J概述
Wolfspeed 推出的高性能碳化硅 MOSFET,相比传统硅 MOSFET,具备更高耐压、更低损耗和更快开关速度,适配高压大功率电源转换场景,能效比高。
 
C3M0280090J参数:
漏源电压 VDS=900V,连续漏极电流 ID=80A,导通电阻 RDS (on)≤28mΩ(VGS=18V),栅源电压 VGS=±25V,功率耗散 600W,工作温度 - 55℃~+175℃,开关频率最高 500kHz。
 
应用场景:
▲新能源汽车逆变器、光伏逆变器、工业变频器、高压开关电源、储能系统、充电桩功率模块、航空航天高压电源设备。
 
C3M0280090J特征:
N沟道增强型SiC MOSFET,碳化硅材质,低导通电阻,高耐压,快速开关速度,TO-247-3 封装,散热性能优异,适合高压大功率场景。
 
C3M0280090J概述
Wolfspeed 推出的高性能碳化硅 MOSFET,相比传统硅 MOSFET,具备更高耐压、更低损耗和更快开关速度,适配高压大功率电源转换场景,能效比高。
 
C3M0280090J参数:
漏源电压 VDS=900V,连续漏极电流 ID=80A,导通电阻 RDS (on)≤28mΩ(VGS=18V),栅源电压 VGS=±25V,功率耗散 600W,工作温度 - 55℃~+175℃,开关频率最高 500kHz。
 
应用场景:
▲新能源汽车逆变器、光伏逆变器、工业变频器、高压开关电源、储能系统、充电桩功率模块、航空航天高压电源设备。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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