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FQA40N25 功率 MOSFET，N 沟道
FQA40N25 功率 MOSFET，N 沟道
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
价格: ￥16.000 - ￥17.000
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>=1000 ￥16.50 ￥0.5
        
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FQA40N25 说明
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
 
 
 
 
FQA40N25 特征
●40A, 250V, RDS(on) = 70mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 20A栅极电荷低（典型值：85nC)
●低 Crss（典型值70pF)
●100% 经过雪崩击穿测试
●100% Avalanche Tested
FQA40N25 说明
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
 
 
 
 
FQA40N25 特征
●40A, 250V, RDS(on) = 70mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 20A栅极电荷低（典型值：85nC)
●低 Crss（典型值70pF)
●100% 经过雪崩击穿测试
●100% Avalanche Tested
FQA40N25
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