NSI6602A-DSPNR 汽车级功率MOSFET SOIC16 蓝信伟业

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NSI6602A-DSPNR特征：

N 沟道增强型功率 MOSFET，低导通电阻，高电流承载能力，PDFN-8 封装，开关速度快，散热性能良好，符合 AEC-Q101 汽车级标准。

NSI6602A-DSPNR概述：

纳芯微（Novosense）推出的汽车级功率MOSFET，专为车载大电流场景设计，导通损耗小，抗干扰能力强，适配汽车电子严苛的工作环境和可靠性要求。

NSI6602A-DSPNR参数：

漏源电压 VDS=60V，连续漏极电流 ID=10A，导通电阻 RDS (on)≤10mΩ（VGS=10V），栅源电压 VGS=±20V，功率耗散 30W，工作温度 - 40℃~+150℃，上升时间 3ns。

应用场景：

▲汽车电子（车载充电器、DC/DC 转换器）、新能源汽车低压辅助电源、工业控制功率模块、电机驱动电路、开关电源、电池保护板。

NSI6602A-DSPNR特征：

N 沟道增强型功率 MOSFET，低导通电阻，高电流承载能力，PDFN-8 封装，开关速度快，散热性能良好，符合 AEC-Q101 汽车级标准。

NSI6602A-DSPNR概述：

纳芯微（Novosense）推出的汽车级功率MOSFET，专为车载大电流场景设计，导通损耗小，抗干扰能力强，适配汽车电子严苛的工作环境和可靠性要求。

NSI6602A-DSPNR参数：

漏源电压 VDS=60V，连续漏极电流 ID=10A，导通电阻 RDS (on)≤10mΩ（VGS=10V），栅源电压 VGS=±20V，功率耗散 30W，工作温度 - 40℃~+150℃，上升时间 3ns。

应用场景：

▲汽车电子（车载充电器、DC/DC 转换器）、新能源汽车低压辅助电源、工业控制功率模块、电机驱动电路、开关电源、电池保护板。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

移动电话:13424188068

联系QQ：800007218

联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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