L8050HQLT1G NPN型的贴片三极管 封装SOT-23 深圳市蓝信伟业电子有限公司
L8050HQLT1G NPN型的贴片三极管 封装SOT-23 深圳市蓝信伟业电子有限公司
L8050HQLT1G
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L8050HQLT1G  NPN型的贴片三极管  封装SOT-23   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征:
●高性能、高可靠性
●适用于高密度电路板组装
●具有良好的热稳定性和电性能
 
 
说明:
●L8050HQLT1G三极管由乐山无线电(LRC)设计生产,其采用SOT-23封装形式,使得器件在电路板上的占用空间更小,有利于实现电路的小型化和集成化。
●该三极管具有NPN型晶体管的特性,可以用于放大电路中的电流,也可以作为开关元件在数字电路中控制电路的通断。
 
关键参数:
●晶体管类型:NPN
●集射极击穿电压Vce(Max):25V
●DC电流增益(hFE):100(某些参数表中可能给出150-300的范围,具体值可能因生产批次和测试条件而异)
●集电极电流Ic:1.5A
●Vce饱和压降:0.5V(或500mV)
●功率耗散:300mW(某些参数表中可能给出225mW的值,具体取决于测试条件和封装形式)
●工作温度:-55℃~+150℃(某些参数表中可能给出-40℃~+125℃的范围,但-55℃~+150℃是更常见的规格)
 
应用场景:
●可穿戴设备
●机器人
●安全设备/系统
●军用/航空电子
●移动通信设备
●工业控制系统
●便携设备
●触控感测系统
●物联网设备
●智能电网系统等
 
L8050HQLT1G  NPN型的贴片三极管  封装SOT-23   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征:
●高性能、高可靠性
●适用于高密度电路板组装
●具有良好的热稳定性和电性能
 
 
说明:
●L8050HQLT1G三极管由乐山无线电(LRC)设计生产,其采用SOT-23封装形式,使得器件在电路板上的占用空间更小,有利于实现电路的小型化和集成化。
●该三极管具有NPN型晶体管的特性,可以用于放大电路中的电流,也可以作为开关元件在数字电路中控制电路的通断。
 
关键参数:
●晶体管类型:NPN
●集射极击穿电压Vce(Max):25V
●DC电流增益(hFE):100(某些参数表中可能给出150-300的范围,具体值可能因生产批次和测试条件而异)
●集电极电流Ic:1.5A
●Vce饱和压降:0.5V(或500mV)
●功率耗散:300mW(某些参数表中可能给出225mW的值,具体取决于测试条件和封装形式)
●工作温度:-55℃~+150℃(某些参数表中可能给出-40℃~+125℃的范围,但-55℃~+150℃是更常见的规格)
 
应用场景:
●可穿戴设备
●机器人
●安全设备/系统
●军用/航空电子
●移动通信设备
●工业控制系统
●便携设备
●触控感测系统
●物联网设备
●智能电网系统等
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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