热销产品
查看更多 >>
首页产品大全VISHAY/威世
SI2315BDS-T1-E3 P沟道MOSFET 封装SOT-23-3 深圳市蓝信伟业电子有限公司
SI2315BDS-T1-E3 P沟道MOSFET 封装SOT-23-3 深圳市蓝信伟业电子有限公司
SI2315BDS-T1-E3
价格: ￥1.000 - ￥3.000
库存: 1000
积分: 0
数量：
数量 单价 折扣
1-99 ￥3.00 ￥0
100-999 ￥2.00 ￥1
>=1000 ￥1.00 ￥2
        
详细介绍
商品属性
售后服务
评价信息(0)
商品咨询
SI2315BDS-T1-E3    P沟道MOSFET    封装SOT-23-3  深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●低功耗：具有较低的导通电阻（Rds(on)），在导通状态下能耗较低。
●快速开关速度：栅极电荷（Qg）较小，能够实现快速的开关操作，减少开关损耗。
●高稳定性：工作温度范围宽（-55°C至150°C），能够在各种环境下稳定工作。
●小尺寸：采用SOT-23-3封装，体积小巧，便于在电路板上布局。
 
说明：
SI2315BDS-T1-E3是一款高性能的P沟道MOSFET，专为低功耗、快速开关的电路应用设计。它结合了低功耗、快速开关速度和高稳定性的优点，广泛应用于各种便携式电子设备、电源管理电路和信号放大电路中。
 
关键参数：
●漏源击穿电压 Vds 12V
●连续漏极电流 Id 3A（在25°C时）
●漏源导通电阻（最大） Rds(on) 50mΩ @ 3.85A, 4.5V
●栅源极阈值电压 Vgs(th) 900mV @ 250µA
●栅极电压（最大值） Vgs ±8V
●栅极电荷（最大值） Qg 8nC
●耗散功率（最大值） Pd 750mW（在25°C时）
●上升时间 tr 35ns
●下降时间 tf 50ns
●工作温度范围 Tj -55°C至150°C
 
应用场景：
●便携式电子设备：如手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电源管理、电池保护电路和信号放大。
●电源管理：在DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统中，作为开关元件，实现高效的电能转换和控制。
●信号放大：在音频放大器、传感器接口电路和信号调理电路中，用于放大微弱信号。
●工业控制：在自动化控制系统中，用于驱动继电器、电磁阀等执行器，实现低功耗、快速响应的控制。
 
SI2315BDS-T1-E3    P沟道MOSFET    封装SOT-23-3  深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●低功耗：具有较低的导通电阻（Rds(on)），在导通状态下能耗较低。
●快速开关速度：栅极电荷（Qg）较小，能够实现快速的开关操作，减少开关损耗。
●高稳定性：工作温度范围宽（-55°C至150°C），能够在各种环境下稳定工作。
●小尺寸：采用SOT-23-3封装，体积小巧，便于在电路板上布局。
 
说明：
SI2315BDS-T1-E3是一款高性能的P沟道MOSFET，专为低功耗、快速开关的电路应用设计。它结合了低功耗、快速开关速度和高稳定性的优点，广泛应用于各种便携式电子设备、电源管理电路和信号放大电路中。
 
关键参数：
●漏源击穿电压 Vds 12V
●连续漏极电流 Id 3A（在25°C时）
●漏源导通电阻（最大） Rds(on) 50mΩ @ 3.85A, 4.5V
●栅源极阈值电压 Vgs(th) 900mV @ 250µA
●栅极电压（最大值） Vgs ±8V
●栅极电荷（最大值） Qg 8nC
●耗散功率（最大值） Pd 750mW（在25°C时）
●上升时间 tr 35ns
●下降时间 tf 50ns
●工作温度范围 Tj -55°C至150°C
 
应用场景：
●便携式电子设备：如手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电源管理、电池保护电路和信号放大。
●电源管理：在DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统中，作为开关元件，实现高效的电能转换和控制。
●信号放大：在音频放大器、传感器接口电路和信号调理电路中，用于放大微弱信号。
●工业控制：在自动化控制系统中，用于驱动继电器、电磁阀等执行器，实现低功耗、快速响应的控制。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
用微信扫一扫二维码，即可自动储存联系方式！  
为您推荐