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AO3404A 功率 MOSFET 封装SOT - 23 蓝信伟业
AO3404A 功率 MOSFET 封装SOT - 23 蓝信伟业
AO3404A    功率 MOSFET       封装SOT - 23   蓝信伟业
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AO3404A    功率 MOSFET       封装SOT - 23   蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻：VGS=10V、ID=5.8A 时 RDS (ON) 最大 25mΩ，VGS=4.5V、ID=4.8A 时最大 35mΩ，降低导通损耗
●高电流承载：连续漏极电流 5.8A（TA=25℃），脉冲漏极电流可达 64A，适配中低功率负载的瞬时大电流需求
●低栅极电荷：Qg (10V) 约 7.1nC，Qg (4.5V) 约 3.3nC，开关速度快，适配高频 PWM 控制，降低驱动损耗
●宽电压兼容：栅源电压 ±20V，栅极阈值电压 1.4V - 2.6V，兼容 3.3V/5V MCU / 逻辑电路驱动
●高可靠性：无卤无铅 RoHS 合规，结温范围 - 55℃ - +150℃，MSL 等级 1，适配严苛工业与消费电子环境
 
 
说明：
AO3404A 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOT - 23 - 3 封装与先进沟槽技术，核心优势为低导通电阻、低栅极电荷与高电流承载能力。其额定漏源电压 30V，连续漏极电流 5.8A，最大功耗 1.4W，栅极阈值电压 1.4V - 2.6V，体二极管正向电压约 0.76V（IS=1A，VGS=0V）。该器件无卤无铅 RoHS 合规，适配 SMT 自动化生产，可高效用于负载开关、DC - DC 转换、LED 驱动、电池管理等中低压高频场景，是消费电子、工业控制等领域低功耗电源管理的优选器件。
 
参数：
●MOSFET 类型：N 沟道增强型功率 MOSFET，沟槽工艺，单管集成体二极管
●漏源电压（VDS）：30V（最大值，TA=25℃）
●栅源电压（VGS）：±20V（最大值）
●连续漏极电流（ID）：5.8A（TA=25℃），4.9A（TA=70℃）
●功率耗散（PD）：1.4W（TA=25℃）
●导通电阻（RDS (ON)）：最大 25mΩ（VGS=10V，ID=5.8A），最大 35mΩ（VGS=4.5V，ID=4.8A）
●栅极阈值电压（VGS (th)）：1.4V - 2.6V（VDS=VGS，ID=250μA）
●栅极电荷（Qg）：Qg (10V) 约 7.1nC，Qg (4.5V) 约 3.3nC
●输入电容（Ciss）：约 373pF，输出电容（Coss）：约 67pF，反向传输电容（Crss）：约 41pF
●工作 / 存储温度：-55℃ - +150℃
 
 
应用场景：
●消费电子：手机 / 平板电源管理、移动电源负载开关、LED 快充的 PWM 控制，低导通电阻降低充电 / 供电损耗
●工业控制：PLC I/O 模块的负载开关、传感器供电控制，适配 3.3V/5V 逻辑驱动，低功耗提升系统稳定性
●汽车电子：12V/24V 车载设备辅助电源、车灯 LED 驱动，宽温度范围适配车载环境，高电流承载满足瞬时负载需求
●智能家居：智能灯具 PWM 调光、小型家电电源管理，低栅极电荷适配 MCU 高频控制，提升能效与调光精度
●电池管理：锂电池保护板、便携式储能设备的充电控制，低导通电阻减少充电损耗，适配低功耗待机管理
●通信设备：光猫、路由器的 DC - DC 转换器同步整流，提升电源转换效率，适配设备长时间稳定运行
 
AO3404A    功率 MOSFET       封装SOT - 23   蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻：VGS=10V、ID=5.8A 时 RDS (ON) 最大 25mΩ，VGS=4.5V、ID=4.8A 时最大 35mΩ，降低导通损耗
●高电流承载：连续漏极电流 5.8A（TA=25℃），脉冲漏极电流可达 64A，适配中低功率负载的瞬时大电流需求
●低栅极电荷：Qg (10V) 约 7.1nC，Qg (4.5V) 约 3.3nC，开关速度快，适配高频 PWM 控制，降低驱动损耗
●宽电压兼容：栅源电压 ±20V，栅极阈值电压 1.4V - 2.6V，兼容 3.3V/5V MCU / 逻辑电路驱动
●高可靠性：无卤无铅 RoHS 合规，结温范围 - 55℃ - +150℃，MSL 等级 1，适配严苛工业与消费电子环境
 
 
说明：
AO3404A 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOT - 23 - 3 封装与先进沟槽技术，核心优势为低导通电阻、低栅极电荷与高电流承载能力。其额定漏源电压 30V，连续漏极电流 5.8A，最大功耗 1.4W，栅极阈值电压 1.4V - 2.6V，体二极管正向电压约 0.76V（IS=1A，VGS=0V）。该器件无卤无铅 RoHS 合规，适配 SMT 自动化生产，可高效用于负载开关、DC - DC 转换、LED 驱动、电池管理等中低压高频场景，是消费电子、工业控制等领域低功耗电源管理的优选器件。
 
参数：
●MOSFET 类型：N 沟道增强型功率 MOSFET，沟槽工艺，单管集成体二极管
●漏源电压（VDS）：30V（最大值，TA=25℃）
●栅源电压（VGS）：±20V（最大值）
●连续漏极电流（ID）：5.8A（TA=25℃），4.9A（TA=70℃）
●功率耗散（PD）：1.4W（TA=25℃）
●导通电阻（RDS (ON)）：最大 25mΩ（VGS=10V，ID=5.8A），最大 35mΩ（VGS=4.5V，ID=4.8A）
●栅极阈值电压（VGS (th)）：1.4V - 2.6V（VDS=VGS，ID=250μA）
●栅极电荷（Qg）：Qg (10V) 约 7.1nC，Qg (4.5V) 约 3.3nC
●输入电容（Ciss）：约 373pF，输出电容（Coss）：约 67pF，反向传输电容（Crss）：约 41pF
●工作 / 存储温度：-55℃ - +150℃
 
 
应用场景：
●消费电子：手机 / 平板电源管理、移动电源负载开关、LED 快充的 PWM 控制，低导通电阻降低充电 / 供电损耗
●工业控制：PLC I/O 模块的负载开关、传感器供电控制，适配 3.3V/5V 逻辑驱动，低功耗提升系统稳定性
●汽车电子：12V/24V 车载设备辅助电源、车灯 LED 驱动，宽温度范围适配车载环境，高电流承载满足瞬时负载需求
●智能家居：智能灯具 PWM 调光、小型家电电源管理，低栅极电荷适配 MCU 高频控制，提升能效与调光精度
●电池管理：锂电池保护板、便携式储能设备的充电控制，低导通电阻减少充电损耗，适配低功耗待机管理
●通信设备：光猫、路由器的 DC - DC 转换器同步整流，提升电源转换效率，适配设备长时间稳定运行
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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