FQD1N60CTM N沟道QF ET®MOSFET 600V，1.0 a，11.5Ω

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FQD1N60CTM N沟道QF ET®MOSFET 600V，1.0
a，11.5Ω

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FQD1N60CTM

FQD1N60CTM特征：

●1A,600 V,Ros(on)=11.5Ω(Max.)@VGs=10 V,b=0.5 A

●低栅极电荷(典型值4.8nC)

●低频率(典型3.5 pF)

●100%雪崩测试

●符合RoHS标准

FQD1N60CTM说明：

这款N沟道增强型功率MOSFET采用安森美半导体专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已特别定制，以减少通态电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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