STP55NF06 功率 MOSFET
STP55NF06 功率 MOSFET
这款功率 MOSFET 是意法半导体独特的 "Single Feature Size™"带基工艺的最新发展成果。由此产生的晶体管具有极高的堆积密度,导通电阻低,雪崩特性稳定,关键对准步骤少,因此具有显著的制造可重复性。
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■特征:
●典型 RDS(on) = 0.015 Ω
●出色的 dv/dt 能力
●100% 通过雪崩测试
●表面贴装 D2PAK (TO-263)
- 管式功率封装(无后缀)或卷带式功率封装(后缀 "t4)
●应用
- 高电流、高开关速度
- 电机控制、音频放大器
- DC-DC & DC-AC转换器
- 汽车
●通孔式 i²pak (to-262) 封装
- 管内封装(后缀"-1)

■概要:
这款功率 MOSFET 是意法半导体独特的 "Single Feature Size™"带基工艺的最新发展成果。由此产生的晶体管具有极高的堆积密度,导通电阻低,雪崩特性稳定,关键对准步骤少,因此具有显著的制造可重复性。
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ:800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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