IPB044N15N5ATMA1 N-通道功率MOSFET
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IPB044N15N5ATMA1特征:
●降低 R DS(on) 而不影响 FOM gd 和 FOM oss
●降低输出电荷
●超低反向恢复电荷
●提高换流坚固性
●可以提高开关频率
●减少并联
●使用出色的 SuperSO8 缩小尺寸
●更高的功率密度设计
●更坚固的产品
●降低系统成本
●改善电磁干扰行为
 
 
IPB044N15N5ATMA1说明
英飞凌推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 R DS(on)(与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25%)和 Q rr,而不影响 FOM gd 和 FOM OSS,从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外,超低反向恢复电荷(在 SuperSO8 中,Q rr = 26 nC)提高了换流坚固性。
 
 
 
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传真:+86-755-83687442
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