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LTC7891RUFDM#TRPBF 同步降压控制器
LTC7891RUFDM#TRPBF 同步降压控制器
LTC7891RUFDM#TRPBF 适用于 GaN FET 的100V、低 IQ 、同步降压控制器
价格: ￥80.000 - ￥80.600
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1-99 ￥80.60 ￥0
100-999 ￥80.30 ￥0.3
>=1000 ￥80.00 ￥0.6
        
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LTC7891RUFDM#TRPBF 
LTC7891RUFDM#TRPBF特征：
●针对 GaN FET 全面优化的 GaN 驱动技术
●宽 V输入范围：4V 至 100V
●宽输出电压范围：0.8V ≤ V OUT ≤ 60V
●无需钳位、钳位或自举二极管
●内部智能自举开关可防止高侧驱动器电源过度充电
●内部优化、智能接近零死区时间或电阻可调死区时间
●分离输出栅极驱动器，可调节打开和关闭驱动器强度
●精确可调的驱动器电压和 UVLO
●低工作 I Q：5 μA（48 V输入至 5 V输出）
●可编程频率（100 kHz 至 3 MHz）
●可锁相频率（100 kHz 至 3 MHz）
●扩频频率调制
●28 引脚 (4 mm × 5 mm) 侧面可湿性 QFN 封装
 
LTC7891RUFDM#TRPBF说明：
LTC7891 是一款高性能、降压、DC-DC 开关稳压器控制器，可从高达 100V 的输入电压驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级。LTC7891 解决了使用 GaN FET 时传统上面临的许多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 解决方案相比，LTC7891 简化了应用设计，同时不需要保护二极管和其他额外的外部组件。
 
内部智能自举开关可防止死区期间 BOOST 引脚到 SW 引脚高侧驱动器电源的过度充电，从而保护顶部 GaN FET 的栅极。LTC7891 在内部优化了两个开关沿上的栅极驱动器时序，以实现智能的接近零死区时间，从而显着提高效率并允许高频操作，即使在高输入电压下也是如此。或者，用户可以使用外部电阻器调整死区时间以获得余量或定制应用。
 
LTC7891 的栅极驱动电压可在 4V 至 5.5V 范围内精确调节，以优化性能，并允许使用不同的 GaN FET，甚至逻辑电平 MOSFET。
 
请注意，在本数据表中，多功能引脚（例如 PLLIN/SPREAD）要么通过整个引脚名称来引用，要么通过引脚的单个功能来引用，例如 PLLIN（当仅与该功能相关时）。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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