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IRFZ48NPBF N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 封装TO-220AB 蓝信伟业
IRFZ48NPBF N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 封装TO-220AB 蓝信伟业
IRFZ48NPBF
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IRFZ48NPBF     N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET       封装TO-220AB    蓝信伟业
 
特征：
●超低导通电阻：VGS=10V、ID=32A 时 RDS (on) 典型 14mΩ，最大 17mΩ，大电流下功耗低
●快速开关性能：采用先进平面工艺，总栅极电荷 Qg 典型 81nC（VGS=10V），开关损耗小
●宽温工作：结温范围‑55℃‑+175℃，适配工业与汽车电子等严苛温度环境
●高电流承载：持续漏极电流 ID=64A（25℃），峰值电流可达 256A，适配大电流负载
●高可靠性：HEXFET 技术，具备优秀的 dv/dt 与 di/dt 耐受能力，抗浪涌与干扰性能强
●无铅环保：PbF 后缀符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造要求
 
 
说明：
IRFZ48NPBF 是 Infineon（原 IR）推出的经典 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 TO‑220AB 封装，主打 55V 耐压、64A 大电流与超低导通电阻（14mΩ），核心优势在于低功耗与高可靠性。其先进平面工艺实现快速开关与宽温工作，适配工业、消费电子等多领域中大功率应用，可高效完成功率转换、电机控制、LED 驱动等任务，且支持搭配散热片实现更高功率承载，兼顾性能与成本，是中低电压大功率 MOSFET 的高性价比选择。
 
 
 
参数：
●漏源击穿电压 V (BR) DSS：最小 55V（VGS=0V，ID=250μA）
●持续漏极电流 ID：64A（25℃，TC=25℃），25A（100℃，TC=100℃）
●导通电阻 RDS (on)：最大 17mΩ（VGS=10V，ID=32A），典型 14mΩ
●栅极阈值电压 VGS (th)：最小 2.0V，最大 4.0V（VDS=VGS，ID=250μA）
●总栅极电荷 Qg：典型 81nC（VGS=10V，VDS=25V）
●输入电容 Ciss：典型 1970pF（VDS=25V，f=1MHz）
●功率耗散 Pd：130W（25℃，TC=25℃）
●工作结温 Tj：‑55℃‑+175℃
 
 
应用场景：
●工业电源：DC‑DC 转换器、开关电源、工业稳压模块，适配 PWM 控制下的高效功率转换
●电机驱动：直流电机 H 桥驱动、步进电机驱动，适配 64A 大电流与快速开关需求
●消费电子：大功率 LED 驱动、LCD 电源板、一体机 PC 供电模块，低导通电阻降低发热
●电池管理：电动工具电池充放电控制、储能系统低压侧开关，适配大电流充放电场景
●汽车电子：车载 DC‑DC 转换器、车灯驱动、辅助电源模块，宽温特性适配车内温度波动
●功率控制：电子负载、逆变器辅助电路、UPS 电源开关，兼顾高可靠性与低功耗
 
IRFZ48NPBF     N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET       封装TO-220AB    蓝信伟业
 
特征：
●超低导通电阻：VGS=10V、ID=32A 时 RDS (on) 典型 14mΩ，最大 17mΩ，大电流下功耗低
●快速开关性能：采用先进平面工艺，总栅极电荷 Qg 典型 81nC（VGS=10V），开关损耗小
●宽温工作：结温范围‑55℃‑+175℃，适配工业与汽车电子等严苛温度环境
●高电流承载：持续漏极电流 ID=64A（25℃），峰值电流可达 256A，适配大电流负载
●高可靠性：HEXFET 技术，具备优秀的 dv/dt 与 di/dt 耐受能力，抗浪涌与干扰性能强
●无铅环保：PbF 后缀符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造要求
 
 
说明：
IRFZ48NPBF 是 Infineon（原 IR）推出的经典 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 TO‑220AB 封装，主打 55V 耐压、64A 大电流与超低导通电阻（14mΩ），核心优势在于低功耗与高可靠性。其先进平面工艺实现快速开关与宽温工作，适配工业、消费电子等多领域中大功率应用，可高效完成功率转换、电机控制、LED 驱动等任务，且支持搭配散热片实现更高功率承载，兼顾性能与成本，是中低电压大功率 MOSFET 的高性价比选择。
 
 
 
参数：
●漏源击穿电压 V (BR) DSS：最小 55V（VGS=0V，ID=250μA）
●持续漏极电流 ID：64A（25℃，TC=25℃），25A（100℃，TC=100℃）
●导通电阻 RDS (on)：最大 17mΩ（VGS=10V，ID=32A），典型 14mΩ
●栅极阈值电压 VGS (th)：最小 2.0V，最大 4.0V（VDS=VGS，ID=250μA）
●总栅极电荷 Qg：典型 81nC（VGS=10V，VDS=25V）
●输入电容 Ciss：典型 1970pF（VDS=25V，f=1MHz）
●功率耗散 Pd：130W（25℃，TC=25℃）
●工作结温 Tj：‑55℃‑+175℃
 
 
应用场景：
●工业电源：DC‑DC 转换器、开关电源、工业稳压模块，适配 PWM 控制下的高效功率转换
●电机驱动：直流电机 H 桥驱动、步进电机驱动，适配 64A 大电流与快速开关需求
●消费电子：大功率 LED 驱动、LCD 电源板、一体机 PC 供电模块，低导通电阻降低发热
●电池管理：电动工具电池充放电控制、储能系统低压侧开关，适配大电流充放电场景
●汽车电子：车载 DC‑DC 转换器、车灯驱动、辅助电源模块，宽温特性适配车内温度波动
●功率控制：电子负载、逆变器辅助电路、UPS 电源开关，兼顾高可靠性与低功耗
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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