IKW40N120H3 采用反并联二极管

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IKW40N120H3

IKW40N120H3特征：

●专门设计用于替代在开关频率低于70kHz的应用中的平面式 MOSFET。

●高效率，低开关损耗

●借助英飞凌卓越的 TRENCHSTOP™ 技术，实现了出色的 VCEsat 行为。

●快速开关行为，低电磁干扰辐射

●针对目标应用的优化二极管，意味着进一步改善开关损耗

●在保持出色的开关行为的同时可以实现低栅极电荷选择（低至 5Ω）

●短路容量

●提供最高175°C的 Tj

●可带或可不带续流二极管的封装，增加了设计自由度。

IKW40N120H3说明：

高速 1200 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT4，采用TO-247封装的续流二极管装，提供开关和传导损耗之间的折中方案。此产品系列的主要特征是类似 MOSFET 的关断开关行为，实现了低关断损耗。

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