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LMBT4401LT1G NPN型双极晶体管 封装SOT-23-3 深圳市蓝信伟业电子有限公司
LMBT4401LT1G NPN型双极晶体管 封装SOT-23-3 深圳市蓝信伟业电子有限公司
LMBT4401LT1G  NPN型双极晶体管  封装SOT-23-3   深圳市蓝信伟业电子有限公司
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LMBT4401LT1G  NPN型双极晶体管  封装SOT-23-3   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●高击穿电压：集射极击穿电压Vceo高达40V，能够承受较高的电压。
●大电流能力：集电极最大允许电流Icm为600mA，适用于需要较大电流的应用。
●高频特性：特征频率fT达到250MHz，适用于高频电路。
●低功耗：功率耗散Pd为225mW或300mW（不同资料有所差异，但均较低），适用于低功耗应用。
●温度适应性强：能够在-55℃至+150℃的宽温度范围内正常工作。
 
 
说明：
LMBT4401LT1G是由乐山无线电（LRC）生产的一款通用NPN型双极晶体管，采用SOT-23-3封装形式。
该产品具有优良的电气性能和稳定的品质，适用于各种电子电路中的放大、开关等应用。
 
 
关键参数：
●晶体管类型：NPN
●集电极最大允许电流Icm：600mA
●集射极击穿电压Vceo：40V
●功率耗散Pd：225mW或300mW（具体值可能因封装和测试条件不同而有所差异）
●直流电流增益hFE：在特定条件下（如Ic=150mA, Vce=1V）可达100，也有资料显示为500或一定范围内（如100~300），具体数值可能因测试条件不同而有所差异。
●特征频率fT：250MHz
●集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：在特定条件下（如Ic=500mA, Ib=一定值）为750mV或更低。
●工作温度范围：-55℃至+150℃
 
 
应用场景：
●LMBT4401LT1G适用于各种需要NPN型双极晶体管的电子应用，如放大电路、开关电路、电源管理等。
●由于其高击穿电压、大电流能力、高频特性和低功耗等特点，特别适合于高压、高频和低功耗的电子电路。
●该产品还可广泛应用于汽车电子、通讯设备、计算机设备、消费电子等领域，满足各种复杂电子系统的需求。●例如，在汽车电子中，可用于发动机控制系统、车身控制系统等；在通讯设备中，可用于射频放大、信号开关等电路。
 
LMBT4401LT1G  NPN型双极晶体管  封装SOT-23-3   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●高击穿电压：集射极击穿电压Vceo高达40V，能够承受较高的电压。
●大电流能力：集电极最大允许电流Icm为600mA，适用于需要较大电流的应用。
●高频特性：特征频率fT达到250MHz，适用于高频电路。
●低功耗：功率耗散Pd为225mW或300mW（不同资料有所差异，但均较低），适用于低功耗应用。
●温度适应性强：能够在-55℃至+150℃的宽温度范围内正常工作。
 
 
说明：
LMBT4401LT1G是由乐山无线电（LRC）生产的一款通用NPN型双极晶体管，采用SOT-23-3封装形式。
该产品具有优良的电气性能和稳定的品质，适用于各种电子电路中的放大、开关等应用。
 
 
关键参数：
●晶体管类型：NPN
●集电极最大允许电流Icm：600mA
●集射极击穿电压Vceo：40V
●功率耗散Pd：225mW或300mW（具体值可能因封装和测试条件不同而有所差异）
●直流电流增益hFE：在特定条件下（如Ic=150mA, Vce=1V）可达100，也有资料显示为500或一定范围内（如100~300），具体数值可能因测试条件不同而有所差异。
●特征频率fT：250MHz
●集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：在特定条件下（如Ic=500mA, Ib=一定值）为750mV或更低。
●工作温度范围：-55℃至+150℃
 
 
应用场景：
●LMBT4401LT1G适用于各种需要NPN型双极晶体管的电子应用，如放大电路、开关电路、电源管理等。
●由于其高击穿电压、大电流能力、高频特性和低功耗等特点，特别适合于高压、高频和低功耗的电子电路。
●该产品还可广泛应用于汽车电子、通讯设备、计算机设备、消费电子等领域，满足各种复杂电子系统的需求。●例如，在汽车电子中，可用于发动机控制系统、车身控制系统等；在通讯设备中，可用于射频放大、信号开关等电路。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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