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LMBTA44LT1G NPN型三极管 封装SOT-23 深圳市蓝信伟业电子有限公司
LMBTA44LT1G NPN型三极管 封装SOT-23 深圳市蓝信伟业电子有限公司
LMBTA44LT1G  NPN型三极管  封装SOT-23   深圳市蓝信伟业电子有限公司
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LMBTA44LT1G  NPN型三极管  封装SOT-23   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●高击穿电压：集射极击穿电压Vceo高达400V，能够承受较高的电压。
●低功耗：功率耗散Pd为350mW，适用于低功耗应用。
●高频率特性：特征频率fT达到50MHz，适用于高频电路。
●温度范围广：工作温度范围在-55℃至+150℃之间，适应多种环境温度。
 
 
说明：
LMBTA44LT1G是由乐山无线电（LRC）生产的一款通用三极管，采用SOT-23封装。
该产品具有稳定的性能和可靠的品质，适用于各种电子电路中的放大、开关等应用。
 
关键参数：
●晶体管类型：NPN
●集电极电流Ic：200mA
●集射极击穿电压Vceo：400V
●功率耗散Pd：350mW
●直流电流增益hFE：在特定条件下（如Ic=50mA, Vce=10V）可达40或80（不同资料有所差异）
●特征频率fT：50MHz
●集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：在特定条件下（如Ic=10mA, Ib=1mA）为200mV或300mV（不同资料有所差异）
●工作温度范围：-55℃至+150℃
 
 
应用场景：
●LMBTA44LT1G适用于各种需要NPN型三极管的电子应用，如放大电路、开关电路等。
●由于其高击穿电压、低功耗和高频率特性，特别适合于高压、高频和低功耗的电子电路。
●该产品还可用于汽车电子、通讯设备、计算机设备、消费电子等领域，满足各种复杂电子系统的需求。
 
LMBTA44LT1G  NPN型三极管  封装SOT-23   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●高击穿电压：集射极击穿电压Vceo高达400V，能够承受较高的电压。
●低功耗：功率耗散Pd为350mW，适用于低功耗应用。
●高频率特性：特征频率fT达到50MHz，适用于高频电路。
●温度范围广：工作温度范围在-55℃至+150℃之间，适应多种环境温度。
 
 
说明：
LMBTA44LT1G是由乐山无线电（LRC）生产的一款通用三极管，采用SOT-23封装。
该产品具有稳定的性能和可靠的品质，适用于各种电子电路中的放大、开关等应用。
 
关键参数：
●晶体管类型：NPN
●集电极电流Ic：200mA
●集射极击穿电压Vceo：400V
●功率耗散Pd：350mW
●直流电流增益hFE：在特定条件下（如Ic=50mA, Vce=10V）可达40或80（不同资料有所差异）
●特征频率fT：50MHz
●集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：在特定条件下（如Ic=10mA, Ib=1mA）为200mV或300mV（不同资料有所差异）
●工作温度范围：-55℃至+150℃
 
 
应用场景：
●LMBTA44LT1G适用于各种需要NPN型三极管的电子应用，如放大电路、开关电路等。
●由于其高击穿电压、低功耗和高频率特性，特别适合于高压、高频和低功耗的电子电路。
●该产品还可用于汽车电子、通讯设备、计算机设备、消费电子等领域，满足各种复杂电子系统的需求。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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