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IRFI4019H-117P 双 N 沟道功率 MOSFET 封装TO - 220FP 蓝信伟业
IRFI4019H-117P 双 N 沟道功率 MOSFET 封装TO - 220FP 蓝信伟业
IRFI4019H-117P    双 N 沟道功率 MOSFET        封装TO - 220FP    蓝信伟业
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IRFI4019H-117P    双 N 沟道功率 MOSFET        封装TO - 220FP    蓝信伟业
 
特征：
●低导通损耗：采用先进制造工艺，在 VGS=10V、IDS=5.2A 的条件下，静态漏源导通电阻典型值仅 80mΩ，最大值 95mΩ，单位硅面积导通电阻低，工作时热量产生少，大幅提升放大器效率。
●开关特性优异：栅极电荷 Qg 典型值为 13nC，开关电荷 Qsw 典型值为 4.1nC，低电荷特性减少了开关过程中的能量损耗，同时改善总谐波失真（THD），让音频输出音质更纯净。
●电磁兼容性好：体二极管反向恢复电荷 Qrr 低，可减少开关瞬间的电流尖峰，降低电磁干扰（EMI），避免对周边电路造成电磁干扰，保障设备在家庭、车载等环境中稳定工作。
●环境适应性强：工作结温范围为 - 55℃ - 150℃，能适应不同温度场景；且具备 34A 的脉冲漏极电流和 77mJ 的单脉冲雪崩能量，抗冲击能力强，器件耐用性高。
 
说明：
IRFI4019H - 117P 是英飞凌专为 D 类音频放大器开发的数字音频 MOSFET 半桥芯片。它通过半桥集成封装技术，将原本需多个部件的电路集成一体，使所需部件数量减半，助力简化 PCB 布局。其通过优化栅极电荷、体二极管反向恢复特性和内部栅极电阻等关键参数，针对性改善了 D 类音频放大器的效率、总谐波失真和电磁干扰等核心性能。凭借半桥结构的高效性和稳定性，该器件成为高保真、大功率音频放大场景的优质选择，虽目前已停产，但在高端音频设备领域仍有广泛应用价值。
 
参数：
●漏源击穿电压（BVDSS） 150V（VGS=0V，ID=250μA）
●栅源电压（VGS） ±20V
●连续漏极电流（ID） 25℃时 8.7A，100℃时 6.2A（VGS=10V）
●脉冲漏极电流（IDM） 34A
●栅极阈值电压（VGS (th)） 最小值 3.0V，最大值 4.9V（IDS=50μA）
●最大功耗（PD） 25℃时 18W，100℃时 7.2W
●单脉冲雪崩能量（EAS） 77mJ
●结到壳热阻（RθJC） 6.9℃/W
●结到环境热阻（RθJA） 65℃/W
●存储温度范围 - 55℃ - 150℃
 
应用场景：
●家用高端音响：适配家用立体声系统、家庭影院的 D 类功率放大器，为扬声器提供高功率、低失真的音频信号，保障观影和听音乐时的高保真音效体验。
●汽车音响：用于车载大功率音响系统，其低电磁干扰特性适配车载复杂的电磁环境，同时高功率输出能力可满足汽车内部大音量、高品质音频播放需求。
●专业音频设备：应用于舞台演出用功放、专业录音棚的音频放大设备，能稳定输出大功率音频，且低失真特性可保障演出和录音时的音频质量。
●便携式大功率音箱：适配户外便携式大功率蓝牙音箱等设备，高效的功率转换能力可减少电池供电损耗，延长设备续航，同时满足户外场景的大音量输出需求。
 
IRFI4019H-117P    双 N 沟道功率 MOSFET        封装TO - 220FP    蓝信伟业
 
特征：
●低导通损耗：采用先进制造工艺，在 VGS=10V、IDS=5.2A 的条件下，静态漏源导通电阻典型值仅 80mΩ，最大值 95mΩ，单位硅面积导通电阻低，工作时热量产生少，大幅提升放大器效率。
●开关特性优异：栅极电荷 Qg 典型值为 13nC，开关电荷 Qsw 典型值为 4.1nC，低电荷特性减少了开关过程中的能量损耗，同时改善总谐波失真（THD），让音频输出音质更纯净。
●电磁兼容性好：体二极管反向恢复电荷 Qrr 低，可减少开关瞬间的电流尖峰，降低电磁干扰（EMI），避免对周边电路造成电磁干扰，保障设备在家庭、车载等环境中稳定工作。
●环境适应性强：工作结温范围为 - 55℃ - 150℃，能适应不同温度场景；且具备 34A 的脉冲漏极电流和 77mJ 的单脉冲雪崩能量，抗冲击能力强，器件耐用性高。
 
说明：
IRFI4019H - 117P 是英飞凌专为 D 类音频放大器开发的数字音频 MOSFET 半桥芯片。它通过半桥集成封装技术，将原本需多个部件的电路集成一体，使所需部件数量减半，助力简化 PCB 布局。其通过优化栅极电荷、体二极管反向恢复特性和内部栅极电阻等关键参数，针对性改善了 D 类音频放大器的效率、总谐波失真和电磁干扰等核心性能。凭借半桥结构的高效性和稳定性，该器件成为高保真、大功率音频放大场景的优质选择，虽目前已停产，但在高端音频设备领域仍有广泛应用价值。
 
参数：
●漏源击穿电压（BVDSS） 150V（VGS=0V，ID=250μA）
●栅源电压（VGS） ±20V
●连续漏极电流（ID） 25℃时 8.7A，100℃时 6.2A（VGS=10V）
●脉冲漏极电流（IDM） 34A
●栅极阈值电压（VGS (th)） 最小值 3.0V，最大值 4.9V（IDS=50μA）
●最大功耗（PD） 25℃时 18W，100℃时 7.2W
●单脉冲雪崩能量（EAS） 77mJ
●结到壳热阻（RθJC） 6.9℃/W
●结到环境热阻（RθJA） 65℃/W
●存储温度范围 - 55℃ - 150℃
 
应用场景：
●家用高端音响：适配家用立体声系统、家庭影院的 D 类功率放大器，为扬声器提供高功率、低失真的音频信号，保障观影和听音乐时的高保真音效体验。
●汽车音响：用于车载大功率音响系统，其低电磁干扰特性适配车载复杂的电磁环境，同时高功率输出能力可满足汽车内部大音量、高品质音频播放需求。
●专业音频设备：应用于舞台演出用功放、专业录音棚的音频放大设备，能稳定输出大功率音频，且低失真特性可保障演出和录音时的音频质量。
●便携式大功率音箱：适配户外便携式大功率蓝牙音箱等设备，高效的功率转换能力可减少电池供电损耗，延长设备续航，同时满足户外场景的大音量输出需求。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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