NJL6401R-3-TE1 双N沟道MOSFET SMD 蓝信伟业

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双 N 沟道增强型功率 MOSFET，共源共栅结构；漏源电压 60V，连续漏极电流 3A / 管；导通电阻 120mΩ（典型，VGS=10V）；栅源电压 ±20V，输入电容小；SOP-8 封装，RoHS 合规，适合高频开关与同步整流。

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NJL6401R-3-TE1（双N沟道MOSFET）

●特征：双 N 沟道增强型功率 MOSFET，共源共栅结构；漏源电压 60V，连续漏极电流 3A / 管；导通电阻 120mΩ（典型，VGS=10V）；栅源电压 ±20V，输入电容小；SOP-8 封装，RoHS 合规，适合高频开关与同步整流。

●基本参数：制造商日清纺微电子；类型双 N 沟道 MOSFET；漏源电压 60V；连续漏极电流 3A / 管；导通电阻 120mΩ（典型，VGS=10V，ID=1.5A）；栅源电压 ±20V；工作温度 - 55℃~150℃；封装 SOP-8；结构共源共栅。

●概述：专为同步整流、DC/DC 转换设计的双 N 沟道 MOSFET，低导通电阻与小封装提升能效并节省 PCB 空间，适配 12V/24V 电源系统的高效开关应用。

●应用领域：DC/DC 同步整流、Buck/Boost 转换器；电源适配器、充电器的次级整流；工业电源、服务器电源的同步整流模块；LED 驱动、电池管理系统的开关控制。

NJL6401R-3-TE1（双N沟道MOSFET）

●概述：专为同步整流、DC/DC 转换设计的双 N 沟道 MOSFET，低导通电阻与小封装提升能效并节省 PCB 空间，适配 12V/24V 电源系统的高效开关应用。

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