热销产品
查看更多 >>
首页产品大全NCE/新洁能
NCE6050KA N 沟道增强型功率 MOSFET 封装TO-252 蓝信伟业
NCE6050KA N 沟道增强型功率 MOSFET 封装TO-252 蓝信伟业
NCE6050KA N 沟道增强型功率 MOSFET       封装TO-252        蓝信伟业
价格: ￥0.390 - ￥1.000
库存: 3000
积分: 0
数量：
数量 单价 折扣
1-99 ￥1.00 ￥0
100-999 ￥0.69 ￥0.31
>=1000 ￥0.39 ￥0.61
        
详细介绍
商品属性
售后服务
评价信息(0)
商品咨询
NCE6050KA N 沟道增强型功率 MOSFET       封装TO-252        蓝信伟业
 
特征：
采用先进的沟槽技术和设计，具有低栅极电荷特性，能降低开关损耗。其高密度电池设计可实现超低的导通电阻。同时，器件经过充分表征的雪崩电压和电流，具备高 ESD（静电放电）能力，稳定性好、均匀性好，且封装散热性能优良。
 
说明：
NCE6050KA 是新洁能推出的一款功率 MOSFET 器件，通过优化设计和工艺，使其在高电流、高频等应用场景中表现出色。它能在一定电压和电流条件下稳定工作，为电路提供可靠的开关控制功能，有助于提升相关电子设备电源部分的性能和稳定性。
 
关键参数：
漏源电压（Vdss）为 60V，连续漏极电流（Id）为 50A，栅源极阈值电压为 2.5V，在栅源电压（VGS）为 10V、漏极电流为 20A 时，漏源导通电阻（RDS（ON））为 20mΩ，栅极电荷（Qg）为 50nC，最大功率耗散（Pd）为 85W，工作温度范围为 - 55℃~+175℃，反向传输电容（Crss）为 120pF，输入电容为 2.05nF。
 
应用场景：
广泛应用于电源、控制板、计算机、家电、通讯设备等产品中，可用于各类电源管理电路、电机驱动电路等，实现对电源的通断控制以及对电机等负载的驱动控制。
 
NCE6050KA N 沟道增强型功率 MOSFET       封装TO-252        蓝信伟业
 
特征：
采用先进的沟槽技术和设计，具有低栅极电荷特性，能降低开关损耗。其高密度电池设计可实现超低的导通电阻。同时，器件经过充分表征的雪崩电压和电流，具备高 ESD（静电放电）能力，稳定性好、均匀性好，且封装散热性能优良。
 
说明：
NCE6050KA 是新洁能推出的一款功率 MOSFET 器件，通过优化设计和工艺，使其在高电流、高频等应用场景中表现出色。它能在一定电压和电流条件下稳定工作，为电路提供可靠的开关控制功能，有助于提升相关电子设备电源部分的性能和稳定性。
 
关键参数：
漏源电压（Vdss）为 60V，连续漏极电流（Id）为 50A，栅源极阈值电压为 2.5V，在栅源电压（VGS）为 10V、漏极电流为 20A 时，漏源导通电阻（RDS（ON））为 20mΩ，栅极电荷（Qg）为 50nC，最大功率耗散（Pd）为 85W，工作温度范围为 - 55℃~+175℃，反向传输电容（Crss）为 120pF，输入电容为 2.05nF。
 
应用场景：
广泛应用于电源、控制板、计算机、家电、通讯设备等产品中，可用于各类电源管理电路、电机驱动电路等，实现对电源的通断控制以及对电机等负载的驱动控制。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
用微信扫一扫二维码，即可自动储存联系方式！  
为您推荐