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UTF3055G-AA3-R N沟道增强型功率MOSFET SOT223 蓝信伟业
UTF3055G-AA3-R N沟道增强型功率MOSFET SOT223 蓝信伟业
UTF3055G-AA3-R N沟道增强型功率MOSFET SOT223 蓝信伟业
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UTF3055G-AA3-R特征：
●高电压能力：具有较高的漏源击穿电压，可承受 60V 的电压。
●大电流驱动：最大漏极电流可达 3A，能为负载提供较大的驱动电流。
●低导通电阻：最大漏源导通电阻为 0.11Ω，可有效降低导通损耗，提高电路效率。
●高速开关：适用于高频开关应用，能够快速地导通和截止，减少开关时间，提高开关频率。
●内置二极管：通常配置有内置二极管，可提供反向电流保护，增强电路的可靠性。
●小尺寸封装：采用 SOT223 封装，尺寸小，适合在空间紧凑的电路板上使用。
 
UTF3055G-AA3-R概述：
UTF3055G-AA3-R 是一款基于 N 沟道 MOSFET 技术的半导体器件，利用 N 沟道场效应管的特性，通过控制栅源电压来控制漏源极之间电流的导通和截止。它以其高电压、大电流、低导通电阻等性能特点，为各种需要高效功率控制和开关的电路提供了可靠的解决方案，在众多电子领域中发挥着重要作用，是一种常用的分立半导体器件。
 
UTF3055G-AA3-R关键参数：
●最小漏源击穿电压：60V
●最大漏极电流（ID）：3A
●最大漏源导通电阻：0.11Ω
●最大反馈电容（Crss）：50pF
●封装形式：SOT223
●工作模式：增强型
●极性 / 信道类型：N 沟道
 
应用场景：
▲电源管理：在开关电源、DC-DC 转换器等电源电路中，作为开关管使用，用于控制电源的通断和电压转换，实现高效的电源管理。
▲电机驱动：可用于驱动小型直流电机、步进电机等，通过控制 MOSFET 的导通和截止，实现对电机的正反转、速度调节等控制。
▲汽车电子：如汽车的车窗升降器、座椅调节、雨刮器等电机驱动电路，以及汽车的电源管理系统中，能够在汽车的电气环境下稳定工作。
▲工业控制：在工业自动化设备中，用于控制电磁阀、继电器等负载的通断，也可用于工业电源的开关控制和功率调节。
▲消费电子：在手机充电器、平板电脑电源适配器、笔记本电脑电源电路等消费电子产品中，作为电源开关管，实现高效的电能转换和管理。
 
UTF3055G-AA3-R特征：
●高电压能力：具有较高的漏源击穿电压，可承受 60V 的电压。
●大电流驱动：最大漏极电流可达 3A，能为负载提供较大的驱动电流。
●低导通电阻：最大漏源导通电阻为 0.11Ω，可有效降低导通损耗，提高电路效率。
●高速开关：适用于高频开关应用，能够快速地导通和截止，减少开关时间，提高开关频率。
●内置二极管：通常配置有内置二极管，可提供反向电流保护，增强电路的可靠性。
●小尺寸封装：采用 SOT223 封装，尺寸小，适合在空间紧凑的电路板上使用。
 
UTF3055G-AA3-R概述：
UTF3055G-AA3-R 是一款基于 N 沟道 MOSFET 技术的半导体器件，利用 N 沟道场效应管的特性，通过控制栅源电压来控制漏源极之间电流的导通和截止。它以其高电压、大电流、低导通电阻等性能特点，为各种需要高效功率控制和开关的电路提供了可靠的解决方案，在众多电子领域中发挥着重要作用，是一种常用的分立半导体器件。
 
UTF3055G-AA3-R关键参数：
●最小漏源击穿电压：60V
●最大漏极电流（ID）：3A
●最大漏源导通电阻：0.11Ω
●最大反馈电容（Crss）：50pF
●封装形式：SOT223
●工作模式：增强型
●极性 / 信道类型：N 沟道
 
应用场景：
▲电源管理：在开关电源、DC-DC 转换器等电源电路中，作为开关管使用，用于控制电源的通断和电压转换，实现高效的电源管理。
▲电机驱动：可用于驱动小型直流电机、步进电机等，通过控制 MOSFET 的导通和截止，实现对电机的正反转、速度调节等控制。
▲汽车电子：如汽车的车窗升降器、座椅调节、雨刮器等电机驱动电路，以及汽车的电源管理系统中，能够在汽车的电气环境下稳定工作。
▲工业控制：在工业自动化设备中，用于控制电磁阀、继电器等负载的通断，也可用于工业电源的开关控制和功率调节。
▲消费电子：在手机充电器、平板电脑电源适配器、笔记本电脑电源电路等消费电子产品中，作为电源开关管，实现高效的电能转换和管理。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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