BSS308PEH6327XTSA1 P沟道增强型场效应晶体管

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P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，-30V，SOT-23

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BSS308PEH6327XTSA1特征：

●强化模式

●逻辑电平

●雪崩评级

●快速切换

●额定 Dv/dt

●无铅镀铅

●符合 RoHS 标准，无卤素

●符合汽车标准

●PPAP 能力

●低 R DS(on) 可提供更高的效率并延长电池寿命

●小封装节省 PCB 空间

●一流的质量和可靠性

BSS308PEH6327XTSA1说明：

英飞凌技术为汽车和工业制造商提供广泛的 N 沟道和 P 沟道产品组合小信号 MOSFET 满足并超过知名行业标准包装的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力，非常适合各种应用，包括 LED照明、ADAS、车身控制单元、开关电源和电机控制。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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