FDA70N20 功率MOSFET，N沟道

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FDA70N20 功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，200V，70A，35mΩ，TO-3P

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FSA4157AP6X特征：

●RDS(on) = 35mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 35A

●低栅极电荷（典型值 66nC）

●低 Crss（典型值 89pF）

●100% 经过雪崩击穿测试

FSA4157AP6X说明：

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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