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NCE30P15S P 沟道增强型功率 MOSFET 封装SOP-8 蓝信伟业
NCE30P15S P 沟道增强型功率 MOSFET 封装SOP-8 蓝信伟业
NCE30P15S  P 沟道增强型功率 MOSFET       封装SOP-8        蓝信伟业
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NCE30P15S  P 沟道增强型功率 MOSFET       封装SOP-8        蓝信伟业
 
特征：
采用先进的沟槽技术，具备高功率和大电流处理能力。产品为无铅设计，符合环保要求。其封装具有良好的散热性能，能有效降低芯片工作温度，提高器件稳定性。
 
说明：
NCE30P15S 是新洁能推出的一款功率 MOSFET 器件，通过优化设计和工艺，使其在低电压、大电流应用场景中表现出色。它能在一定电压和电流条件下稳定工作，为电路提供可靠的开关控制功能，可帮助相关设备提升电源管理效率和性能。
 
关键参数：
漏源电压（Vdss）为 - 30V，栅源电压（Vgs）为 ±20V，连续漏极电流（Id）为 - 15A，脉冲漏极电流（Idm）为 - 60A，漏源导通电阻（RDS On）为 8.5mΩ，栅极电荷（Qg）为 48nC，最大耗散功率（PD）为 3.1W，工作温度范围为 - 55℃-150℃。
 
应用场景：
适用于医疗电子、照明电子、物联网 IoT 等领域。例如在医疗设备中可用于控制电源通断或部分功能模块的开关；在照明设备中可实现对灯光的开关控制、亮度调节等；在物联网设备中可用于控制传感器、执行器等部件的工作状态。
 
NCE30P15S P 沟道增强型功率 MOSFET       封装SOP-8        蓝信伟业
 
特征：
采用先进的沟槽技术，具备高功率和大电流处理能力。产品为无铅设计，符合环保要求。其封装具有良好的散热性能，能有效降低芯片工作温度，提高器件稳定性。
 
说明：
NCE30P15S 是新洁能推出的一款功率 MOSFET 器件，通过优化设计和工艺，使其在低电压、大电流应用场景中表现出色。它能在一定电压和电流条件下稳定工作，为电路提供可靠的开关控制功能，可帮助相关设备提升电源管理效率和性能。
 
关键参数：
漏源电压（Vdss）为 - 30V，栅源电压（Vgs）为 ±20V，连续漏极电流（Id）为 - 15A，脉冲漏极电流（Idm）为 - 60A，漏源导通电阻（RDS On）为 8.5mΩ，栅极电荷（Qg）为 48nC，最大耗散功率（PD）为 3.1W，工作温度范围为 - 55℃-150℃。
 
应用场景：
适用于医疗电子、照明电子、物联网 IoT 等领域。例如在医疗设备中可用于控制电源通断或部分功能模块的开关；在照明设备中可实现对灯光的开关控制、亮度调节等；在物联网设备中可用于控制传感器、执行器等部件的工作状态。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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