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FQPF3N80C N 沟道高压 QFET 功率 MOSFET 封装TO-220F 蓝信伟业
FQPF3N80C N 沟道高压 QFET 功率 MOSFET 封装TO-220F 蓝信伟业
FQPF3N80C 场效应管(MOSFET)
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FQPF3N80C    N 沟道高压 QFET 功率 MOSFET      封装TO-220F     蓝信伟业
 
特征：
●800V 漏源击穿电压，3A 连续漏极电流，RDS (on) 最大 4.8Ω（VGS=10V、ID=1.5A），适配高压小功率电源转换场景，满足家电、照明等设备的高压供电需求安森美。
●低栅极电荷（典型值 13nC）、低反向传输电容 Crss（典型值 5.5pF），开关速度快，反向 dv/dt 抗扰度高，适配高频开关应用，降低 EMI 干扰，减少开关损耗安森美。
●100% 经过雪崩测试，单脉冲雪崩能量 EAS 达 320mJ，雪崩电流 IAR=3A，抗浪涌与过压能力强，适配瞬时高压与大电流工况，保障器件稳定运行，提升系统可靠性。
●栅源电压 ±30V，具备 12A 脉冲电流（10μs 脉冲，占空比≤1%）承载能力，适配瞬时大电流负载与高压工况，抗浪涌能力强。
●输入电容 Ciss 典型值 705pF（VDS=25V），正向跨导 gFS≥3S（VDS=50V、ID=1.5A），开关响应迅速，适配高频高压开关应用，提升系统动态性能。
 
说明：
FQPF3N80C 是安森美（原仙童半导体）推出的 N 沟道高压 QFET 功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，基于平面条纹与 DMOS 工艺，具备 800V 耐压、3A 电流能力，低导通电阻、低栅极电荷与高雪崩能量特性，适配高压小功率开关电源、PFC 电路、电子镇流器等场景，100% 雪崩测试保障可靠性，优化的开关性能与抗干扰能力，可简化电路设计，降低成本，为消费电子与工业照明等高压小功率应用提供高性能、高可靠性的功率开关解决方案安森美。
 
参数：
●器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET（QFET 系列）
●漏源电压 VDSS：800V（最大值）
●连续漏极电流 ID：3A（Tc=25℃）；1.9A（Tc=100℃）
●脉冲漏极电流 IDM：12A（10μs 脉冲，占空比≤1%）
●栅源电压 VGSS：±30V（最大值）
●导通电阻 RDS (on)：4.8Ω（最大值，VGS=10V，ID=1.5A）
●栅极阈值电压 VGS (th)：2.5V~5V（典型值，VDS=80V，ID=250μA）
●栅极电荷 Qg：典型值 13nC（VGS=10V）
●反向传输电容 Crss：典型值 5.5pF（VDS=25V，f=1MHz）
●单脉冲雪崩能量 EAS：320mJ（Tc=25℃）
●功率耗散 PD：39W（Tc=25℃）
●工作结温 Tj：-55℃~+150℃
 
 
应用场景：
●电源管理：LCD/LED 电视、台式计算机等消费电子的开关电源主开关，适配 220V/110V 市电输入场景，保障电源高效稳定输出；AC-DC 商用电源（如适配器、充电器）的功率开关，适配高压小功率电源模块，提升转换效率；有源功●率因数校正（PFC）电路开关，适配家电与工业电源的功率因数提升，降低电网谐波污染。
●照明设备：电子镇流器（如 HID 灯、荧光灯镇流器）的功率开关，适配高频高压驱动，保障照明设备稳定运行；LED 照明驱动电路的高压开关，适配恒流驱动与调光控制，减少功耗，提升能效。
●工业控制：工业传感器、PLC 模块的高压电源开关，适配高压供电与低损耗需求，保障设备稳定运行；医疗设备（如监护仪、分析仪）的高压电源模块开关，适配高精度电源转换，保障设备测量准确性。
●消费电子：游戏机、机顶盒等设备的电源模块开关，适配高压输入与高效转换需求，提升设备运行稳定性；打印机、扫描仪等办公设备的电源开关，适配频繁启停与高压供电场景，保障设备高效运行。
●逆变器与 UPS：小型不间断电源（UPS）的逆变器功率开关，适配市电中断时的高效逆变转换，保障负载稳定供电；小型光伏逆变器的功率开关，适配高压直流转交流转换，提升新能源发电系统效率。
 
FQPF3N80C    N 沟道高压 QFET 功率 MOSFET      封装TO-220F     蓝信伟业
 
特征：
●800V 漏源击穿电压，3A 连续漏极电流，RDS (on) 最大 4.8Ω（VGS=10V、ID=1.5A），适配高压小功率电源转换场景，满足家电、照明等设备的高压供电需求安森美。
●低栅极电荷（典型值 13nC）、低反向传输电容 Crss（典型值 5.5pF），开关速度快，反向 dv/dt 抗扰度高，适配高频开关应用，降低 EMI 干扰，减少开关损耗安森美。
●100% 经过雪崩测试，单脉冲雪崩能量 EAS 达 320mJ，雪崩电流 IAR=3A，抗浪涌与过压能力强，适配瞬时高压与大电流工况，保障器件稳定运行，提升系统可靠性。
●栅源电压 ±30V，具备 12A 脉冲电流（10μs 脉冲，占空比≤1%）承载能力，适配瞬时大电流负载与高压工况，抗浪涌能力强。
●输入电容 Ciss 典型值 705pF（VDS=25V），正向跨导 gFS≥3S（VDS=50V、ID=1.5A），开关响应迅速，适配高频高压开关应用，提升系统动态性能。
 
说明：
FQPF3N80C 是安森美（原仙童半导体）推出的 N 沟道高压 QFET 功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，基于平面条纹与 DMOS 工艺，具备 800V 耐压、3A 电流能力，低导通电阻、低栅极电荷与高雪崩能量特性，适配高压小功率开关电源、PFC 电路、电子镇流器等场景，100% 雪崩测试保障可靠性，优化的开关性能与抗干扰能力，可简化电路设计，降低成本，为消费电子与工业照明等高压小功率应用提供高性能、高可靠性的功率开关解决方案安森美。
 
参数：
●器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET（QFET 系列）
●漏源电压 VDSS：800V（最大值）
●连续漏极电流 ID：3A（Tc=25℃）；1.9A（Tc=100℃）
●脉冲漏极电流 IDM：12A（10μs 脉冲，占空比≤1%）
●栅源电压 VGSS：±30V（最大值）
●导通电阻 RDS (on)：4.8Ω（最大值，VGS=10V，ID=1.5A）
●栅极阈值电压 VGS (th)：2.5V~5V（典型值，VDS=80V，ID=250μA）
●栅极电荷 Qg：典型值 13nC（VGS=10V）
●反向传输电容 Crss：典型值 5.5pF（VDS=25V，f=1MHz）
●单脉冲雪崩能量 EAS：320mJ（Tc=25℃）
●功率耗散 PD：39W（Tc=25℃）
●工作结温 Tj：-55℃~+150℃
 
 
应用场景：
●电源管理：LCD/LED 电视、台式计算机等消费电子的开关电源主开关，适配 220V/110V 市电输入场景，保障电源高效稳定输出；AC-DC 商用电源（如适配器、充电器）的功率开关，适配高压小功率电源模块，提升转换效率；有源功●率因数校正（PFC）电路开关，适配家电与工业电源的功率因数提升，降低电网谐波污染。
●照明设备：电子镇流器（如 HID 灯、荧光灯镇流器）的功率开关，适配高频高压驱动，保障照明设备稳定运行；LED 照明驱动电路的高压开关，适配恒流驱动与调光控制，减少功耗，提升能效。
●工业控制：工业传感器、PLC 模块的高压电源开关，适配高压供电与低损耗需求，保障设备稳定运行；医疗设备（如监护仪、分析仪）的高压电源模块开关，适配高精度电源转换，保障设备测量准确性。
●消费电子：游戏机、机顶盒等设备的电源模块开关，适配高压输入与高效转换需求，提升设备运行稳定性；打印机、扫描仪等办公设备的电源开关，适配频繁启停与高压供电场景，保障设备高效运行。
●逆变器与 UPS：小型不间断电源（UPS）的逆变器功率开关，适配市电中断时的高效逆变转换，保障负载稳定供电；小型光伏逆变器的功率开关，适配高压直流转交流转换，提升新能源发电系统效率。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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