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NCEP02T10 N 沟道功率 MOSFET 封装 TO-247 蓝信伟业
NCEP02T10 N 沟道功率 MOSFET 封装 TO-247 蓝信伟业
NCEP02T10  N 沟道功率 MOSFET      封装 TO-247        蓝信伟业
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NCEP02T10  N 沟道功率 MOSFET      封装 TO-247        蓝信伟业
 
特征：
采用优化的超沟槽（Super Trench）技术，具有极低的导通电阻 RDS (ON) 和栅极电荷 Qg，可使传导和开关功率损耗最小化，能有效提高电路效率，降低能量损耗，同时具备良好的高频开关性能。
 
说明：
NCEP02T10 是新洁能推出的一款高性能功率 MOSFET 器件，通过先进的沟槽技术优化设计，使其在高频应用场景中表现出色。它能够在一定的电压和电流条件下稳定工作，为高频开关电源等电路提供可靠的开关控制功能，有助于提升相关电子设备的电源转换效率和性能。
 
 
关键参数：
漏源电压（Vdss）为 200V，连续漏极电流（Id）可达 100A，在栅源电压 VGS=10V 时，漏源导通电阻 RDS (ON) 小于 12mΩ。最大功率耗散（PD）为 300W，工作结温和存储温度范围为 - 55℃至 + 175℃，并且经过 100% UIS（非重复雪崩能量）测试和 100% ΔVds 测试，器件可靠性较高。
 
应用场景：
广泛应用于变频器、伺服、步进、PLC、触摸屏、电源、网络通讯、汽车电子、新能源、电力、工控仪表、医疗、安防、家电、智能家居等领域，尤其适用于对开关频率和效率要求较高的电路，如高频开关电源、车载逆变器等。
 
NCEP02T10 N 沟道功率 MOSFET      封装 TO-247        蓝信伟业
 
特征：
采用优化的超沟槽（Super Trench）技术，具有极低的导通电阻 RDS (ON) 和栅极电荷 Qg，可使传导和开关功率损耗最小化，能有效提高电路效率，降低能量损耗，同时具备良好的高频开关性能。
 
说明：
NCEP02T10 是新洁能推出的一款高性能功率 MOSFET 器件，通过先进的沟槽技术优化设计，使其在高频应用场景中表现出色。它能够在一定的电压和电流条件下稳定工作，为高频开关电源等电路提供可靠的开关控制功能，有助于提升相关电子设备的电源转换效率和性能。
 
 
关键参数：
漏源电压（Vdss）为 200V，连续漏极电流（Id）可达 100A，在栅源电压 VGS=10V 时，漏源导通电阻 RDS (ON) 小于 12mΩ。最大功率耗散（PD）为 300W，工作结温和存储温度范围为 - 55℃至 + 175℃，并且经过 100% UIS（非重复雪崩能量）测试和 100% ΔVds 测试，器件可靠性较高。
 
应用场景：
广泛应用于变频器、伺服、步进、PLC、触摸屏、电源、网络通讯、汽车电子、新能源、电力、工控仪表、医疗、安防、家电、智能家居等领域，尤其适用于对开关频率和效率要求较高的电路，如高频开关电源、车载逆变器等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
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