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AOD409 P沟道MOSFET 封装TO-252 蓝信伟业
AOD409 P沟道MOSFET 封装TO-252 蓝信伟业
AOD409   P沟道MOSFET   封装TO-252     蓝信伟业
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AOD409   P沟道MOSFET   封装TO-252     蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻（RDS(on)）：在不同栅极电压下，导通电阻较低，有助于减少功率损耗和热量产生。
●高电流承载能力：连续漏极电流（Id）可达22A至30A（具体数值可能因不同资料而异），适用于大电流应用。
●宽电压范围：漏源电压（Vdss）为-60V，适用于多种电压等级的电路。
●快速开关特性：适用于需要快速切换的应用场景。
●良好的散热性能：TO-252封装具有良好的散热性能，有助于保持器件的稳定工作。
 
说明：
●工作原理：AOD409是一种P沟道MOSFET，当栅极电压低于阈值电压时，沟道导通，允许电流从源极流向漏极；当栅极电压高于阈值电压时，沟道截止，阻止电流流动。
●使用注意事项：在使用时，需要确保栅极电压和漏源电压不超过器件的额定电压，避免损坏器件。同时，应根据具体应用需求选择合适的散热措施。
 
关键参数：
●参数名称 典型值/范围
●漏源电压（Vdss） -60V
●连续漏极电流（Id） -22A 至 -30A
●导通电阻（RDS(on)） 40mΩ 至 57mΩ（具体数值取决于栅极电压）
●栅极电压范围（Vgs） -20V 至 +20V
●阈值电压（Vgs(th)） -1.5V 至 -1.8V
●栅极电荷（Qg） 54nC（典型值）
●输入电容（Ciss） 3.6nF 至 3600pF（具体数值取决于漏源电压）
●工作温度范围 -55°C 至 +175°C
●封装类型 TO-252（DPAK）
 
应用场景：
●电源开关：在电源管理系统中，作为电源开关元件，控制电源的通断。
●DC/DC和AC/DC转换器：作为同步整流器，提高转换效率，降低功率损耗。
●电机驱动：用于工业和电机驱动应用，控制电机的启动、停止和调速。
●逆变器和UPS系统：在逆变器和不间断电源（UPS）系统中，用于功率转换和控制。
●汽车电子：在汽车电子系统中，如电动车的电池管理系统、电机控制等，提供高效的电力转换和控制。
●工业控制：在工业自动化和控制系统中，用于功率开关和信号放大。
 
AOD409   P沟道MOSFET   封装TO-252     蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻（RDS(on)）：在不同栅极电压下，导通电阻较低，有助于减少功率损耗和热量产生。
●高电流承载能力：连续漏极电流（Id）可达22A至30A（具体数值可能因不同资料而异），适用于大电流应用。
●宽电压范围：漏源电压（Vdss）为-60V，适用于多种电压等级的电路。
●快速开关特性：适用于需要快速切换的应用场景。
●良好的散热性能：TO-252封装具有良好的散热性能，有助于保持器件的稳定工作。
 
说明：
●工作原理：AOD409是一种P沟道MOSFET，当栅极电压低于阈值电压时，沟道导通，允许电流从源极流向漏极；当栅极电压高于阈值电压时，沟道截止，阻止电流流动。
●使用注意事项：在使用时，需要确保栅极电压和漏源电压不超过器件的额定电压，避免损坏器件。同时，应根据具体应用需求选择合适的散热措施。
 
关键参数：
●参数名称 典型值/范围
●漏源电压（Vdss） -60V
●连续漏极电流（Id） -22A 至 -30A
●导通电阻（RDS(on)） 40mΩ 至 57mΩ（具体数值取决于栅极电压）
●栅极电压范围（Vgs） -20V 至 +20V
●阈值电压（Vgs(th)） -1.5V 至 -1.8V
●栅极电荷（Qg） 54nC（典型值）
●输入电容（Ciss） 3.6nF 至 3600pF（具体数值取决于漏源电压）
●工作温度范围 -55°C 至 +175°C
●封装类型 TO-252（DPAK）
 
应用场景：
●电源开关：在电源管理系统中，作为电源开关元件，控制电源的通断。
●DC/DC和AC/DC转换器：作为同步整流器，提高转换效率，降低功率损耗。
●电机驱动：用于工业和电机驱动应用，控制电机的启动、停止和调速。
●逆变器和UPS系统：在逆变器和不间断电源（UPS）系统中，用于功率转换和控制。
●汽车电子：在汽车电子系统中，如电动车的电池管理系统、电机控制等，提供高效的电力转换和控制。
●工业控制：在工业自动化和控制系统中，用于功率开关和信号放大。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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