FDA59N30 场效应管(MOSFET)

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FDA59N30特征

●r ds（on） =56mΩ（最大）@ v gs = 10v，i d = 29.5a

●低门电荷（典型77NC）

●低C RSS（典型80pf）

●100％雪崩测试

FDA59N30说明

Unifet TM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET家族。该MOSFET量身定制，以降低州的阻力，并提供更好的切换性能和更高的雪崩能量强度。该设备系列适用于开关电源转换器应用，例如功率因数校正（PFC），平板显示器（FPD）电视电源，ATX和电子灯载体。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

移动电话:13424188068

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联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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