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PCP1302-TD-H P 沟道功率 MOSFET 封装SOT-89 蓝信伟业
PCP1302-TD-H P 沟道功率 MOSFET 封装SOT-89 蓝信伟业
PCP1302-TD-H
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PCP1302-TD-H    P 沟道功率 MOSFET      封装SOT-89     蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻设计，在 VGS=-10V、ID=-1.5A 时 RDS (on) 最大仅 266mΩ，VGS=-4V、ID=-1A 时 RDS (on) 最大 374mΩ，导通损耗低，适配中功率电源开关场景。
●栅源电压 ±20V，漏源击穿电压 60V，具备 12A 脉冲电流（10μs 脉冲，占空比≤1%）承载能力，抗浪涌与过压能力强，适配瞬时大电流负载与高压工况。
●栅极阈值电压 VGS (th) 范围 - 1.2V~-2.6V（典型值），兼容低电压逻辑驱动，无需额外电平转换，简化控制电路设计。
●输入电容 Ciss 最大 262pF，栅极电荷 Qg 最大 6.4nC（VGS=-10V），开关速度快，适配高频开关应用，减少开关损耗，降低 EMI 干扰。
●工作结温 - 55℃~+150℃，功率耗散 3.5W（Tc=25℃），适配工业与消费级恶劣工况，保障高温环境稳定运行。
 
说明：
PCP1302-TD-H 是安森美（onsemi）推出的 P 沟道功率 MOSFET，采用 SOT-89/PCP-1 封装，属于低电压中功率 MOSFET 系列，具备低导通电阻、高耐压、中电流驱动能力，适配电源管理、负载驱动及电平转换等场景。可高效实现电源通路控制、负载开关与电平转换功能，减少导通损耗，提升系统效率，为电池供电设备、工业控制模块及消费电子电源电路提供高性能、高可靠性的功率开关解决方案，兼顾效率与稳定性。
 
参数：
●器件类型：P 沟道功率 MOSFET
●漏源电压 VDS：-60V（击穿电压）
●栅源电压 VGS：±20V（最大值）
●连续漏极电流 ID：-3A（Ta=25℃）
●脉冲漏极电流 IDP：-12A（PW≤10μs，占空比≤1%）
●导通电阻 RDS (on)：266mΩ（VGS=-10V，ID=-1.5A）；374mΩ（VGS=-4V，ID=-1A）
●栅极阈值电压 VGS (th)：-1.2V~-2.6V（VDS=-10V，ID=-1mA）
●栅极电荷 Qg：最大 6.4nC（VGS=-10V）
●输入电容 Ciss：最大 262pF（VDS=-20V）
●功率耗散 PD：3.5W（Tc=25℃）；1.3W（陶瓷基板安装）
●工作结温 Tj：-55℃~+150℃
 
应用场景：
●电源管理：电池供电设备（如手持终端、便携式仪器）的电源通路开关，适配低功耗待机与高效供电切换；DC-DC 转换器（Buck/Boost 拓扑）的同步整流开关，适配中功率电源模块，提升转换效率；LDO 稳压器的前置开关，适配多电源供电系统的通路控制，保障供电稳定。
●负载驱动：工业控制模块（如 PLC、传感器）的中电流负载驱动，适配电磁阀、继电器、小型电机等负载，具备快速开关与低损耗特性；消费电子（如打印机、扫描仪）的电机与泵类负载驱动，适配频繁启停与调速场景，提升设备能效。
●电平转换与接口控制：数字电路与模拟电路间的电平转换开关，适配不同电压域的信号通路控制；通信设备（如路由器、交换机）的电源模块开关，适配高压供电与低损耗需求，保障设备稳定运行。
●汽车电子：车载低压电源系统（12V/24V）的负载开关，适配车灯、风扇、油泵等负载驱动，AEC-Q101 认证保障车规级可靠性；新能源汽车电池管理系统（BMS）的均衡电路开关，适配电池单体均衡控制，提升电池组使用寿命。
●照明与家电：LED 照明驱动电路的电源开关，适配恒流驱动与调光控制，减少功耗；家电设备（如空调、洗衣机）的辅助电源开关，适配待机与运行模式的电源切换，降低待机功耗。
 
PCP1302-TD-H    P 沟道功率 MOSFET      封装SOT-89     蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻设计，在 VGS=-10V、ID=-1.5A 时 RDS (on) 最大仅 266mΩ，VGS=-4V、ID=-1A 时 RDS (on) 最大 374mΩ，导通损耗低，适配中功率电源开关场景。
●栅源电压 ±20V，漏源击穿电压 60V，具备 12A 脉冲电流（10μs 脉冲，占空比≤1%）承载能力，抗浪涌与过压能力强，适配瞬时大电流负载与高压工况。
●栅极阈值电压 VGS (th) 范围 - 1.2V~-2.6V（典型值），兼容低电压逻辑驱动，无需额外电平转换，简化控制电路设计。
●输入电容 Ciss 最大 262pF，栅极电荷 Qg 最大 6.4nC（VGS=-10V），开关速度快，适配高频开关应用，减少开关损耗，降低 EMI 干扰。
●工作结温 - 55℃~+150℃，功率耗散 3.5W（Tc=25℃），适配工业与消费级恶劣工况，保障高温环境稳定运行。
 
说明：
PCP1302-TD-H 是安森美（onsemi）推出的 P 沟道功率 MOSFET，采用 SOT-89/PCP-1 封装，属于低电压中功率 MOSFET 系列，具备低导通电阻、高耐压、中电流驱动能力，适配电源管理、负载驱动及电平转换等场景。可高效实现电源通路控制、负载开关与电平转换功能，减少导通损耗，提升系统效率，为电池供电设备、工业控制模块及消费电子电源电路提供高性能、高可靠性的功率开关解决方案，兼顾效率与稳定性。
 
参数：
●器件类型：P 沟道功率 MOSFET
●漏源电压 VDS：-60V（击穿电压）
●栅源电压 VGS：±20V（最大值）
●连续漏极电流 ID：-3A（Ta=25℃）
●脉冲漏极电流 IDP：-12A（PW≤10μs，占空比≤1%）
●导通电阻 RDS (on)：266mΩ（VGS=-10V，ID=-1.5A）；374mΩ（VGS=-4V，ID=-1A）
●栅极阈值电压 VGS (th)：-1.2V~-2.6V（VDS=-10V，ID=-1mA）
●栅极电荷 Qg：最大 6.4nC（VGS=-10V）
●输入电容 Ciss：最大 262pF（VDS=-20V）
●功率耗散 PD：3.5W（Tc=25℃）；1.3W（陶瓷基板安装）
●工作结温 Tj：-55℃~+150℃
 
应用场景：
●电源管理：电池供电设备（如手持终端、便携式仪器）的电源通路开关，适配低功耗待机与高效供电切换；DC-DC 转换器（Buck/Boost 拓扑）的同步整流开关，适配中功率电源模块，提升转换效率；LDO 稳压器的前置开关，适配多电源供电系统的通路控制，保障供电稳定。
●负载驱动：工业控制模块（如 PLC、传感器）的中电流负载驱动，适配电磁阀、继电器、小型电机等负载，具备快速开关与低损耗特性；消费电子（如打印机、扫描仪）的电机与泵类负载驱动，适配频繁启停与调速场景，提升设备能效。
●电平转换与接口控制：数字电路与模拟电路间的电平转换开关，适配不同电压域的信号通路控制；通信设备（如路由器、交换机）的电源模块开关，适配高压供电与低损耗需求，保障设备稳定运行。
●汽车电子：车载低压电源系统（12V/24V）的负载开关，适配车灯、风扇、油泵等负载驱动，AEC-Q101 认证保障车规级可靠性；新能源汽车电池管理系统（BMS）的均衡电路开关，适配电池单体均衡控制，提升电池组使用寿命。
●照明与家电：LED 照明驱动电路的电源开关，适配恒流驱动与调光控制，减少功耗；家电设备（如空调、洗衣机）的辅助电源开关，适配待机与运行模式的电源切换，降低待机功耗。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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