CJ2302 S2 P 沟道增强型 MOSFET 封装SOT-23 蓝信伟业
CJ2302 S2 P 沟道增强型 MOSFET 封装SOT-23 蓝信伟业
N 沟道 20V(D-S) MOSFET
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CJ2302 S2       P 沟道增强型 MOSFET          封装SOT-23       蓝信伟业
 
特征:
●低导通电阻(RDS (on)),在一定栅源电压下导通损耗小,能效较高。
●栅极阈值电压较低,便于低压控制电路驱动。
●开关速度快,适合高频开关应用。
●无铅环保设计,符合 RoHS 标准,适应绿色电子制造需求。
 
说明:
CJ2302 S2 是长晶推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET,针对低压应用优化,兼具低功耗和小型化特点。其稳定的开关性能和紧凑的封装使其成为消费电子、便携式设备等低压电路中实现高效开关控制的理想选择,能有效提升电路的可靠性和能效。
 
参数:
●漏源电压(VDS):-20V(P 沟道,电压为负值表示极性)。
●连续漏极电流(ID):-3.2A(25℃时),-2.1A(100℃时)。
●导通电阻(RDS (on)):典型值 80mΩ(在 VGS=-4.5V,ID=-2A 条件下)。
●栅源电压(VGS):±8V。
●栅极阈值电压(VGS (th)):典型值 - 1.0V(测试条件 ID=-250μA)。
●工作温度范围:-55℃~+150℃(结温)。
 
应用场景:
●消费电子:智能手机、平板电脑、便携式播放器等设备的电源管理电路,如电池供电切换、低压电源开关。
●便携式设备:移动电源、蓝牙耳机、智能手表等的负载开关和电源路径控制。
●计算机外设:USB 设备、移动硬盘等的低压电路开关控制。
●其他低压场景:如物联网传感器节点的电源控制、小型直流电机驱动电路的开关部分等。
 
CJ2302 S2       P 沟道增强型 MOSFET          封装SOT-23       蓝信伟业
 
特征:
●低导通电阻(RDS (on)),在一定栅源电压下导通损耗小,能效较高。
●栅极阈值电压较低,便于低压控制电路驱动。
●开关速度快,适合高频开关应用。
●无铅环保设计,符合 RoHS 标准,适应绿色电子制造需求。
 
说明:
CJ2302 S2 是长晶推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET,针对低压应用优化,兼具低功耗和小型化特点。其稳定的开关性能和紧凑的封装使其成为消费电子、便携式设备等低压电路中实现高效开关控制的理想选择,能有效提升电路的可靠性和能效。
 
参数:
●漏源电压(VDS):-20V(P 沟道,电压为负值表示极性)。
●连续漏极电流(ID):-3.2A(25℃时),-2.1A(100℃时)。
●导通电阻(RDS (on)):典型值 80mΩ(在 VGS=-4.5V,ID=-2A 条件下)。
●栅源电压(VGS):±8V。
●栅极阈值电压(VGS (th)):典型值 - 1.0V(测试条件 ID=-250μA)。
●工作温度范围:-55℃~+150℃(结温)。
 
应用场景:
●消费电子:智能手机、平板电脑、便携式播放器等设备的电源管理电路,如电池供电切换、低压电源开关。
●便携式设备:移动电源、蓝牙耳机、智能手表等的负载开关和电源路径控制。
●计算机外设:USB 设备、移动硬盘等的低压电路开关控制。
●其他低压场景:如物联网传感器节点的电源控制、小型直流电机驱动电路的开关部分等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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