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IRFB3207ZPBF N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 封装TO-220 蓝信伟业
IRFB3207ZPBF N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 封装TO-220 蓝信伟业
IRFB3207ZPBF
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IRFB3207ZPBF     N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET       封装TO-220     蓝信伟业
 
特征：
●采用 HEXFET 先进工艺，导通电阻 RDS (ON) 最大 4.1mΩ@VGS=10V，典型值 3.3mΩ，降低导通损耗，提升功率转换效率。
●漏源极电压 VDS 最大 75V，连续漏极电流 ID 最大 170A（硅极限，Tc=25℃），封装限制 120A，功率耗散 Ptot 最大 300W，适配高压、大功率应用场景。
●栅极电荷 Qg 典型值 170nC@VGS=10V，开关速度快，开通延迟 20ns，关断延迟 55ns，上升时间 68ns，下降时间 54ns，适配高频开关应用。
●具备全雪崩额定与动态 dV/dt 额定，增强型体二极管 dV/dt 和 di/dt 能力，通过全面表征的电容特性与雪崩 SOA 测试，提升系统可靠性。
●工作结温范围 - 55℃至 + 175℃，适配恶劣工作环境，3 引脚直插封装适配传统插件工艺，简化 PCB 设计与散热安装。
 
 
说明：
IRFB3207ZPBF 是英飞凌（原 IR）推出的 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 TO-220AB 直插封装，专为 75V 高压、大功率电源管理与功率转换设计，具备低导通电阻、快速开关、高雪崩耐受与宽温工作特性，适配同步整流、电源开关、电机驱动等场景，为工业、通信、新能源等领域的大功率设备提供高效可靠的功率控制解决方案。
 
参数：
●晶体管类型：N 沟道增强型 MOSFET
●漏源电压 VDS：最大 75V
●连续漏极电流 ID：最大 170A（硅极限，Tc=25℃），封装限制 120A
●导通电阻 RDS (ON)：最大 4.1mΩ（VGS=10V，ID=60A），典型值 3.3mΩ
●栅源阈值电压 VGS (th)：2V~4V（典型值 3V）
●栅源电压 VGS：最大 ±20V
●功率耗散 Ptot：最大 300W（Tc=25℃）
●栅极电荷 Qg：典型值 170nC@VGS=10V
●开关延迟：开通 20ns，关断 55ns，上升 68ns，下降 54ns
●输入电容 Ciss：6.92nF@VDS=25V
●工作结温 Tj：-55℃~+175℃
 
应用场景：
●电源管理：开关电源（SMPS）的高效同步整流，适配服务器电源、通信电源、工业电源，提升转换效率；DC-DC 转换器（正激 / 半桥 / LLC 拓扑）的功率开关，适配高压大功率电源模块。
●电机驱动：直流电机 H 桥驱动电路的低端 / 高端开关，适配电动工具、工业机器人、电动车控制器，具备大电流承载与快速响应能力，适配频繁启停与调速场景。
●逆变器与新能源：UPS 系统、光伏逆变器、车载逆变器的功率开关，适配高压大功率下的稳定逆变；电池供电设备的驱动电路，适配储能系统、电动叉车、AGV 电源。
●工业控制：工业 PLC、伺服驱动器、大功率继电器驱动电路，适配工业自动化设备的高压功率控制，宽温特性保障恶劣工况下稳定运行。
●高频开关电路：硬开关与高频电路的功率开关，适配感应加热设备、超声波发生器、射频电源等，具备快速开关与高雪崩耐受能力，保障高频工况稳定运行。
 
IRFB3207ZPBF     N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET       封装TO-220     蓝信伟业
 
特征：
●采用 HEXFET 先进工艺，导通电阻 RDS (ON) 最大 4.1mΩ@VGS=10V，典型值 3.3mΩ，降低导通损耗，提升功率转换效率。
●漏源极电压 VDS 最大 75V，连续漏极电流 ID 最大 170A（硅极限，Tc=25℃），封装限制 120A，功率耗散 Ptot 最大 300W，适配高压、大功率应用场景。
●栅极电荷 Qg 典型值 170nC@VGS=10V，开关速度快，开通延迟 20ns，关断延迟 55ns，上升时间 68ns，下降时间 54ns，适配高频开关应用。
●具备全雪崩额定与动态 dV/dt 额定，增强型体二极管 dV/dt 和 di/dt 能力，通过全面表征的电容特性与雪崩 SOA 测试，提升系统可靠性。
●工作结温范围 - 55℃至 + 175℃，适配恶劣工作环境，3 引脚直插封装适配传统插件工艺，简化 PCB 设计与散热安装。
 
 
说明：
IRFB3207ZPBF 是英飞凌（原 IR）推出的 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 TO-220AB 直插封装，专为 75V 高压、大功率电源管理与功率转换设计，具备低导通电阻、快速开关、高雪崩耐受与宽温工作特性，适配同步整流、电源开关、电机驱动等场景，为工业、通信、新能源等领域的大功率设备提供高效可靠的功率控制解决方案。
 
参数：
●晶体管类型：N 沟道增强型 MOSFET
●漏源电压 VDS：最大 75V
●连续漏极电流 ID：最大 170A（硅极限，Tc=25℃），封装限制 120A
●导通电阻 RDS (ON)：最大 4.1mΩ（VGS=10V，ID=60A），典型值 3.3mΩ
●栅源阈值电压 VGS (th)：2V~4V（典型值 3V）
●栅源电压 VGS：最大 ±20V
●功率耗散 Ptot：最大 300W（Tc=25℃）
●栅极电荷 Qg：典型值 170nC@VGS=10V
●开关延迟：开通 20ns，关断 55ns，上升 68ns，下降 54ns
●输入电容 Ciss：6.92nF@VDS=25V
●工作结温 Tj：-55℃~+175℃
 
应用场景：
●电源管理：开关电源（SMPS）的高效同步整流，适配服务器电源、通信电源、工业电源，提升转换效率；DC-DC 转换器（正激 / 半桥 / LLC 拓扑）的功率开关，适配高压大功率电源模块。
●电机驱动：直流电机 H 桥驱动电路的低端 / 高端开关，适配电动工具、工业机器人、电动车控制器，具备大电流承载与快速响应能力，适配频繁启停与调速场景。
●逆变器与新能源：UPS 系统、光伏逆变器、车载逆变器的功率开关，适配高压大功率下的稳定逆变；电池供电设备的驱动电路，适配储能系统、电动叉车、AGV 电源。
●工业控制：工业 PLC、伺服驱动器、大功率继电器驱动电路，适配工业自动化设备的高压功率控制，宽温特性保障恶劣工况下稳定运行。
●高频开关电路：硬开关与高频电路的功率开关，适配感应加热设备、超声波发生器、射频电源等，具备快速开关与高雪崩耐受能力，保障高频工况稳定运行。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
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