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IRFP9140NPBF P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 封装TO-247-3 蓝信伟业
IRFP9140NPBF P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET 封装TO-247-3 蓝信伟业
IRFP9140NPBF
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IRFP9140NPBF     P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET       封装TO-247-3     蓝信伟业
 
特征：
●采用第五代 HEXFET 先进工艺，导通电阻 RDS (ON) 最大 0.117Ω@VGS=-10V，降低导通损耗，提升功率转换效率。
●漏源极电压 VDS 最大 - 100V，连续漏极电流 ID 最大 - 23A，功率耗散 Ptot 最大 140W，适配高压、大功率应用场景。
●栅极电荷 Qg 典型值 97nC@VGS=-10V，开关速度快，动态 dv/dt 额定值达 - 5.0V/ns，二极管恢复特性优异，适配高频开关应用。
●具备全雪崩额定与重复雪崩额定，单脉冲雪崩能量 EAS 达 430mJ，雪崩电流 IAR 达 - 11A，提升系统抗浪涌与过压冲击能力。
●工作结温范围 - 55℃至 + 175℃，适配恶劣工作环境，TO-247AC 封装散热性能强，适配高功率密度设计，无铅 RoHS 合规。
 
 
 
说明：
IRFP9140NPBF 是英飞凌（原 IR）推出的第五代 P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 TO-247AC 直插封装，专为高压大功率电源管理与功率转换设计，具备低导通电阻、快速开关、高雪崩耐受与宽温工作特性，适配电源开关、电机驱动、逆变器等场景，为工业、通信、新能源等领域的大功率设备提供高效可靠的功率控制解决方案。
 
参数：
●晶体管类型：P 沟道增强型 MOSFET
●漏源电压 VDS：最大 - 100V
●连续漏极电流 ID：最大 - 23A（Tc=25℃）
●导通电阻 RDS (ON)：最大 0.117Ω（VGS=-10V，ID=-11.5A）
●栅源阈值电压 VGS (th)：-4V~-2V（典型值 - 3V）
●栅源电压 VGS：最大 ±20V
●功率耗散 Ptot：最大 140W（Tc=25℃）
●栅极电荷 Qg：典型值 97nC@VGS=-10V
●输入电容 Ciss：1.3nF@VDS=25V
●反向传输电容 Crss：240pF@VDS=25V
●单脉冲雪崩能量 EAS：430mJ
●重复雪崩能量 EAR：14mJ
●雪崩电流 IAR：-11A
●动态 dv/dt 额定值：-5.0V/ns
●工作结温 Tj：-55℃~+175℃
 
应用场景：
●电源管理：DC-DC 转换器（反激 / 正激 / LLC 拓扑）的高压侧功率开关，适配工业电源、服务器电源、UPS 系统，提升转换效率与可靠性；高压负载开关用于控制大型设备电源通断，适配通信基站电源、工业控制柜电源。
●电机驱动：直流电机 H 桥驱动电路的高端开关，适配电动工具、工业机器人、电动车控制器，具备大电流承载与快速响应能力，适配频繁启停与调速场景。
●逆变器与新能源：光伏逆变器、风能变流器的功率开关，适配新能源电力转换；车载逆变器、应急电源的 DC-AC 转换电路，保障高压大功率下的稳定逆变。
●工业控制：工业 PLC、伺服驱动器、大功率继电器驱动电路，适配工业自动化设备的高压功率控制，宽温特性保障恶劣工况下稳定运行。
●音频与大功率设备：大功率音频放大器的功率输出级，适配专业音响设备；焊接设备、电镀电源的功率控制电路，适配大电流高压供电场景。
 
IRFP9140NPBF     P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET       封装TO-247-3     蓝信伟业
 
特征：
●采用第五代 HEXFET 先进工艺，导通电阻 RDS (ON) 最大 0.117Ω@VGS=-10V，降低导通损耗，提升功率转换效率。
●漏源极电压 VDS 最大 - 100V，连续漏极电流 ID 最大 - 23A，功率耗散 Ptot 最大 140W，适配高压、大功率应用场景。
●栅极电荷 Qg 典型值 97nC@VGS=-10V，开关速度快，动态 dv/dt 额定值达 - 5.0V/ns，二极管恢复特性优异，适配高频开关应用。
●具备全雪崩额定与重复雪崩额定，单脉冲雪崩能量 EAS 达 430mJ，雪崩电流 IAR 达 - 11A，提升系统抗浪涌与过压冲击能力。
●工作结温范围 - 55℃至 + 175℃，适配恶劣工作环境，TO-247AC 封装散热性能强，适配高功率密度设计，无铅 RoHS 合规。
 
 
 
说明：
IRFP9140NPBF 是英飞凌（原 IR）推出的第五代 P 沟道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 TO-247AC 直插封装，专为高压大功率电源管理与功率转换设计，具备低导通电阻、快速开关、高雪崩耐受与宽温工作特性，适配电源开关、电机驱动、逆变器等场景，为工业、通信、新能源等领域的大功率设备提供高效可靠的功率控制解决方案。
 
参数：
●晶体管类型：P 沟道增强型 MOSFET
●漏源电压 VDS：最大 - 100V
●连续漏极电流 ID：最大 - 23A（Tc=25℃）
●导通电阻 RDS (ON)：最大 0.117Ω（VGS=-10V，ID=-11.5A）
●栅源阈值电压 VGS (th)：-4V~-2V（典型值 - 3V）
●栅源电压 VGS：最大 ±20V
●功率耗散 Ptot：最大 140W（Tc=25℃）
●栅极电荷 Qg：典型值 97nC@VGS=-10V
●输入电容 Ciss：1.3nF@VDS=25V
●反向传输电容 Crss：240pF@VDS=25V
●单脉冲雪崩能量 EAS：430mJ
●重复雪崩能量 EAR：14mJ
●雪崩电流 IAR：-11A
●动态 dv/dt 额定值：-5.0V/ns
●工作结温 Tj：-55℃~+175℃
 
应用场景：
●电源管理：DC-DC 转换器（反激 / 正激 / LLC 拓扑）的高压侧功率开关，适配工业电源、服务器电源、UPS 系统，提升转换效率与可靠性；高压负载开关用于控制大型设备电源通断，适配通信基站电源、工业控制柜电源。
●电机驱动：直流电机 H 桥驱动电路的高端开关，适配电动工具、工业机器人、电动车控制器，具备大电流承载与快速响应能力，适配频繁启停与调速场景。
●逆变器与新能源：光伏逆变器、风能变流器的功率开关，适配新能源电力转换；车载逆变器、应急电源的 DC-AC 转换电路，保障高压大功率下的稳定逆变。
●工业控制：工业 PLC、伺服驱动器、大功率继电器驱动电路，适配工业自动化设备的高压功率控制，宽温特性保障恶劣工况下稳定运行。
●音频与大功率设备：大功率音频放大器的功率输出级，适配专业音响设备；焊接设备、电镀电源的功率控制电路，适配大电流高压供电场景。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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