IRFR5410TRPBF 场效应管(MOSFET)

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IRFR5410TRPBF特征

▪超低导通电阻

▪P沟道

▪表面贴装(IRFR5410)

▪直引线(IRFU5410)

▪先进工艺技术

▪快速切换

▪全雪崩额定

▪无铅

IRFR5410TRPBF说明

国际整流器公司(Intemational Rectifier)的第五代HEXFET器件利用先进的处理技术，实现了每硅面积极低的导通电阻。这一优势，加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计者提供了一种极其高效和可靠的器件，适用于各种应用。

D-Pak设计用于表面安装，使用汽相、红外或波焊技术。直引线版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面安装应用中，功率损耗水平可达1.5瓦。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

移动电话:13424188068

联系QQ：800007218

联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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