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NCE0110K N 沟道功率 MOSFET 封装TO-252-2L 蓝信伟业
NCE0110K N 沟道功率 MOSFET 封装TO-252-2L 蓝信伟业
NCE0110K  N 沟道功率 MOSFET      封装TO-252-2L        蓝信伟业
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NCE0110K  N 沟道功率 MOSFET      封装TO-252-2L        蓝信伟业
 
特征：
采用先进的沟槽技术，具有低栅极电荷和较低的导通电阻 RDS (ON)，能有效降低导通损耗和开关损耗，提高电路效率。具备全特性雪崩电压和电流，稳定性和一致性好，且具有较高的防静电放电（ESD）能力。
 
说明：
NCE0110K 是新洁能推出的一款高性能功率 MOSFET 器件，通过优化设计和工艺，使其在中低压功率转换应用中表现出色。它能在一定电压和电流条件下稳定工作，为电路提供可靠的开关控制功能，有助于提升相关电子设备的电源管理效率和性能。
 
 
关键参数：
漏源电压（Vdss）为 100V，连续漏极电流（Id）为 9.6A。在栅源电压 VGS=10V 时，漏源导通电阻 RDS (ON) 典型值为 105mΩ，最大值为 140mΩ；VGS=4.5V 时，RDS (ON) 典型值为 114mΩ，最大值为 150mΩ。输入电容（CISS）为 690pF，工作温度范围为 - 55℃至 + 175℃。
 
应用场景：
适用于直流电机驱动、锂电池保护、AC/DC 同步整流等场景。例如在直流电机驱动电路中，可用于控制电机的启停和转速；在锂电池保护电路中，可对电池的充放电进行保护，防止过流、过压等情况；在 AC/DC 电源中，可作为同步整流管，提高电源转换效率。
 
NCE0110K N 沟道功率 MOSFET      封装TO-252-2L        蓝信伟业
 
特征：
采用先进的沟槽技术，具有低栅极电荷和较低的导通电阻 RDS (ON)，能有效降低导通损耗和开关损耗，提高电路效率。具备全特性雪崩电压和电流，稳定性和一致性好，且具有较高的防静电放电（ESD）能力。
 
说明：
NCE0110K 是新洁能推出的一款高性能功率 MOSFET 器件，通过优化设计和工艺，使其在中低压功率转换应用中表现出色。它能在一定电压和电流条件下稳定工作，为电路提供可靠的开关控制功能，有助于提升相关电子设备的电源管理效率和性能。
 
 
关键参数：
漏源电压（Vdss）为 100V，连续漏极电流（Id）为 9.6A。在栅源电压 VGS=10V 时，漏源导通电阻 RDS (ON) 典型值为 105mΩ，最大值为 140mΩ；VGS=4.5V 时，RDS (ON) 典型值为 114mΩ，最大值为 150mΩ。输入电容（CISS）为 690pF，工作温度范围为 - 55℃至 + 175℃。
 
应用场景：
适用于直流电机驱动、锂电池保护、AC/DC 同步整流等场景。例如在直流电机驱动电路中，可用于控制电机的启停和转速；在锂电池保护电路中，可对电池的充放电进行保护，防止过流、过压等情况；在 AC/DC 电源中，可作为同步整流管，提高电源转换效率。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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