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SI2301BDS-T1-E3 P沟道增强型MOSFET 封装SOT-23-3 深圳市蓝信伟业电子有限公司
SI2301BDS-T1-E3 P沟道增强型MOSFET 封装SOT-23-3 深圳市蓝信伟业电子有限公司
SI2301BDS-T1-E3  P沟道增强型MOSFET    封装SOT-23-3   深圳市蓝信伟业电子有限公司
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SI2301BDS-T1-E3  P沟道增强型MOSFET    封装SOT-23-3   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●低功耗：MOS管在导通状态下的功耗非常低，能够实现高效的电能利用。
●低导通电阻：具有较低的漏源导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提高电路效率。
●快速开关特性：开关速度快，适用于高频开关电路。
●高可靠性：产品技术成熟，具有良好的可靠性和稳定性。
●小尺寸：采用SOT-23-3封装，尺寸小巧，重量轻，便于集成。
 
说明：
SI2301BDS-T1-E3是一款单通道的P沟道MOSFET，适用于各种需要低功耗和高效率的便携式设备、小型物联网设备等。它具有较低的漏源极电压（Vds）和栅源极阈值电压（Vgs(th)），便于在低电压下工作。同时，它符合RoHS标准，无铅环保，适用于现代电子产品的制造。
 
关键参数：
●封装形式 SOT-23-3
●制造商 Vishay
●晶体管极性 P-Channel
●漏源极电压（Vds） 20V
●栅源极电压（Vgs） ±8V
●连续漏极电流（Id） 2.2A（Ta）
●漏源导通电阻（RDS(on)） 100mΩ @ 2.8A, 4.5V
●栅源极阈值电压（Vgs(th)） 950mV @ 250uA
●功率耗散（Pd） 700mW（Ta）
●工作温度范围 -55°C至+150°C
●引脚数 3
●安装风格 SMD/SMT（表面贴装）
●符合标准 RoHS标准，无铅环保
 
应用场景：
●便携式设备：如手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电源管理、LED驱动、电机驱动等。
●小型物联网设备：如智能传感器、可穿戴设备等，用于低功耗的电源管理和控制。
●LED照明：作为LED驱动电路中的开关元件，控制LED灯的亮度和颜色温度。
●电机驱动：在小型电机驱动电路中，用于控制电机的启动、停止和速度调节。
●逆变器：在低功率电源逆变器中，实现电源的DC-AC逆变，用于不间断电源和应急电源系统中。
 
SI2301BDS-T1-E3  P沟道增强型MOSFET    封装SOT-23-3   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●低功耗：MOS管在导通状态下的功耗非常低，能够实现高效的电能利用。
●低导通电阻：具有较低的漏源导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提高电路效率。
●快速开关特性：开关速度快，适用于高频开关电路。
●高可靠性：产品技术成熟，具有良好的可靠性和稳定性。
●小尺寸：采用SOT-23-3封装，尺寸小巧，重量轻，便于集成。
 
说明：
SI2301BDS-T1-E3是一款单通道的P沟道MOSFET，适用于各种需要低功耗和高效率的便携式设备、小型物联网设备等。它具有较低的漏源极电压（Vds）和栅源极阈值电压（Vgs(th)），便于在低电压下工作。同时，它符合RoHS标准，无铅环保，适用于现代电子产品的制造。
 
关键参数：
●封装形式 SOT-23-3
●制造商 Vishay
●晶体管极性 P-Channel
●漏源极电压（Vds） 20V
●栅源极电压（Vgs） ±8V
●连续漏极电流（Id） 2.2A（Ta）
●漏源导通电阻（RDS(on)） 100mΩ @ 2.8A, 4.5V
●栅源极阈值电压（Vgs(th)） 950mV @ 250uA
●功率耗散（Pd） 700mW（Ta）
●工作温度范围 -55°C至+150°C
●引脚数 3
●安装风格 SMD/SMT（表面贴装）
●符合标准 RoHS标准，无铅环保
 
应用场景：
●便携式设备：如手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电源管理、LED驱动、电机驱动等。
●小型物联网设备：如智能传感器、可穿戴设备等，用于低功耗的电源管理和控制。
●LED照明：作为LED驱动电路中的开关元件，控制LED灯的亮度和颜色温度。
●电机驱动：在小型电机驱动电路中，用于控制电机的启动、停止和速度调节。
●逆变器：在低功率电源逆变器中，实现电源的DC-AC逆变，用于不间断电源和应急电源系统中。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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