IRFP240PBF N沟道增强型功率MOSFET 封装TO-247AC 深圳市蓝信伟业电子有限公司
IRFP240PBF N沟道增强型功率MOSFET 封装TO-247AC 深圳市蓝信伟业电子有限公司
IRFP240PBF  N沟道增强型功率MOSFET    封装TO-247AC   深圳市蓝信伟业电子有限公司
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IRFP240PBF  N沟道增强型功率MOSFET    封装TO-247AC   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征:
●高功率处理能力:额定漏源电压(Vds)为200V,连续漏极电流(Id)为20A,适合高功率应用。
●低导通电阻:在Vgs=10V时,漏源导通电阻(Rds(on))为180mΩ,有助于减少导通损耗,提高效率。
●快速开关特性:具有快速的开关速度,适用于高频开关电路。
●高可靠性:采用先进的制造工艺和材料,确保器件的高可靠性和长寿命。
●宽温度范围:工作温度范围为-55°C至+150°C,适应各种严苛的工作环境。
 
说明:
IRFP240PBF是一款单通道N沟道MOSFET,采用增强型导电方式。它适用于需要高效电能转换和快速开关的应用场景,如DC/DC转换器、电机驱动器、逆变器、开关电源等。该器件采用无铅环保封装,符合RoHS指令要求。
 
关键参数:
●封装形式 TO-247AC
●制造商 Vishay
●产品种类 MOSFET
●FET类型 N沟道增强型
●漏源电压(Vds) 200V
●连续漏极电流(Id) 20A(Tc)
●漏源导通电阻(Rds(on)) 180mΩ @ Vgs=10V, Id=12A
●栅源阈值电压(Vgs(th)) 2V~4V @ Id=250μA
●栅极电荷(Qg) 70nC @ Vgs=10V
●输入电容(Ciss) 1300pF @ Vds=25V
●最大栅源电压(Vgs(max)) ±20V
●最大功率耗散(Pd) 150W
●工作温度范围 -55°C至+150°C
●封装材料 金属
 
应用场景:
●DC/DC转换器:用于将直流电压转换为不同的直流电压,实现电能的转换和调节。
●电机驱动器:控制电机的启动、停止和速度调节,实现高效的电机控制。
●逆变器:将直流电转换为交流电,用于太阳能发电、风力发电等领域。
●开关电源:作为开关元件,实现电能的转换和控制,提高电源效率。
●工业控制:在工业自动化控制系统中,用于驱动执行器、传感器等负载。
 
IRFP240PBF  N沟道增强型功率MOSFET    封装TO-247AC   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征:
●高功率处理能力:额定漏源电压(Vds)为200V,连续漏极电流(Id)为20A,适合高功率应用。
●低导通电阻:在Vgs=10V时,漏源导通电阻(Rds(on))为180mΩ,有助于减少导通损耗,提高效率。
●快速开关特性:具有快速的开关速度,适用于高频开关电路。
●高可靠性:采用先进的制造工艺和材料,确保器件的高可靠性和长寿命。
●宽温度范围:工作温度范围为-55°C至+150°C,适应各种严苛的工作环境。
 
说明:
IRFP240PBF是一款单通道N沟道MOSFET,采用增强型导电方式。它适用于需要高效电能转换和快速开关的应用场景,如DC/DC转换器、电机驱动器、逆变器、开关电源等。该器件采用无铅环保封装,符合RoHS指令要求。
 
关键参数:
●封装形式 TO-247AC
●制造商 Vishay
●产品种类 MOSFET
●FET类型 N沟道增强型
●漏源电压(Vds) 200V
●连续漏极电流(Id) 20A(Tc)
●漏源导通电阻(Rds(on)) 180mΩ @ Vgs=10V, Id=12A
●栅源阈值电压(Vgs(th)) 2V~4V @ Id=250μA
●栅极电荷(Qg) 70nC @ Vgs=10V
●输入电容(Ciss) 1300pF @ Vds=25V
●最大栅源电压(Vgs(max)) ±20V
●最大功率耗散(Pd) 150W
●工作温度范围 -55°C至+150°C
●封装材料 金属
 
应用场景:
●DC/DC转换器:用于将直流电压转换为不同的直流电压,实现电能的转换和调节。
●电机驱动器:控制电机的启动、停止和速度调节,实现高效的电机控制。
●逆变器:将直流电转换为交流电,用于太阳能发电、风力发电等领域。
●开关电源:作为开关元件,实现电能的转换和控制,提高电源效率。
●工业控制:在工业自动化控制系统中,用于驱动执行器、传感器等负载。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ:800007218
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