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MBR230LSFT1G 肖特基整流二极管 SOD123 蓝信伟业
MBR230LSFT1G 肖特基整流二极管 SOD123 蓝信伟业
MBR230LSFT1G 肖特基整流二极管  SOD123 蓝信伟业
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MBR230LSFT1G特征：
●性能优势：
°低正向压降（0.43V）：减少能量损耗，提高效率。
°快速恢复特性（25ns）：适用于高频开关应用。
°低反向漏电流（1mA）：降低静态功耗。
●可靠性：
°符合 AEC-Q101 车规认证，适用于汽车电子等高可靠性场景。
°ESD 防护等级达 HBM 3B 级（>8kV）。
°无铅且符合 RoHS 标准。
●热管理：
°热阻（RθJL）：26℃/W，支持高效散热。
 
MBR230LSFT1G概述：
MBR230LSFT1G 是 ON Semiconductor 推出的肖特基二极管，专为低压、高频应用设计。其 30V 反向耐压和 2A 整流能力适用于中小功率电路，低正向压降和快速恢复时间使其在高效电源中表现优异。常见制造商包括 ON Semiconductor、PANJIT 等，支持自动化贴装工艺，是对空间和效率要求较高的电子产品的理想选择。
 
MBR230LSFT1G参数：
●反向峰值电压（VRRM）：30V
●平均整流电流（Io）：2A
●正向压降（VF）：≤0.43V（2A 测试电流）
●正向浪涌电流（IFSM）：40A（单脉冲）
●反向漏电流（IR）：≤1mA（30V 反向电压下）
●反向恢复时间（trr）：≤25ns（高频应用优化）
●工作温度范围：-55℃ 至 +125℃（结温 TJ）
●存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
 
应用场景：
▲高频整流：AC-DC 或 DC-DC 转换器。
▲电源管理：低功耗设备的电压调节与保护。
▲通信设备：射频模块、信号整流。
▲汽车电子：ECU、传感器、照明系统的反向电压保护。
▲消费电子：手机充电器、笔记本电脑、PDA 等的电源设计。
 
MBR230LSFT1G特征：
●性能优势：
°低正向压降（0.43V）：减少能量损耗，提高效率。
°快速恢复特性（25ns）：适用于高频开关应用。
°低反向漏电流（1mA）：降低静态功耗。
●可靠性：
°符合 AEC-Q101 车规认证，适用于汽车电子等高可靠性场景。
°ESD 防护等级达 HBM 3B 级（>8kV）。
°无铅且符合 RoHS 标准。
●热管理：
°热阻（RθJL）：26℃/W，支持高效散热。
 
MBR230LSFT1G概述：
MBR230LSFT1G 是 ON Semiconductor 推出的肖特基二极管，专为低压、高频应用设计。其 30V 反向耐压和 2A 整流能力适用于中小功率电路，低正向压降和快速恢复时间使其在高效电源中表现优异。常见制造商包括 ON Semiconductor、PANJIT 等，支持自动化贴装工艺，是对空间和效率要求较高的电子产品的理想选择。
 
MBR230LSFT1G参数：
●反向峰值电压（VRRM）：30V
●平均整流电流（Io）：2A
●正向压降（VF）：≤0.43V（2A 测试电流）
●正向浪涌电流（IFSM）：40A（单脉冲）
●反向漏电流（IR）：≤1mA（30V 反向电压下）
●反向恢复时间（trr）：≤25ns（高频应用优化）
●工作温度范围：-55℃ 至 +125℃（结温 TJ）
●存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
 
应用场景：
▲高频整流：AC-DC 或 DC-DC 转换器。
▲电源管理：低功耗设备的电压调节与保护。
▲通信设备：射频模块、信号整流。
▲汽车电子：ECU、传感器、照明系统的反向电压保护。
▲消费电子：手机充电器、笔记本电脑、PDA 等的电源设计。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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