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NCE3400X N 沟道增强型功率 MOSFET 封装SOT-23 蓝信伟业
NCE3400X N 沟道增强型功率 MOSFET 封装SOT-23 蓝信伟业
NCE3400X
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NCE3400X N 沟道增强型功率 MOSFET       封装SOT-23        蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻：采用先进的沟槽工艺设计，导通电阻（RDS (on)）极低，能有效降低导通时的功率损耗，提高电路效率。
●高开关速度：栅极电荷低，开关响应迅速，适合高频开关应用，可减少开关过程中的能量损耗。
●高可靠性：具备良好的雪崩耐量和结温特性，经过全面的电气性能测试，稳定性和一致性优异，可在较宽的工作条件下可靠运行。
●环保特性：符合 RoHS 标准，无卤素设计，满足环保要求。
 
说明：
NCE3400X 是一款面向低压小功率应用的 N 沟道 MOSFET，结合了小尺寸封装、低导通电阻和高开关速度的特点，旨在为消费电子、便携式设备等场景提供高效、紧凑的功率开关解决方案。其设计兼顾了性能与空间效率，适用于对功耗、体积有严格要求的电子设备。
 
关键参数：
●漏源电压（VDS）：30V。
●连续漏极电流（ID）：4.5A（25℃时），2.8A（100℃时）。
●脉冲漏极电流（IDM）：18A。
●导通电阻（RDS (on)）：典型值 45mΩ，最大值 60mΩ（VGS=10V 时）。
●栅源电压（VGS）：±12V。
●阈值电压（VGS (th)）：1.0V~2.5V（VDS=VGS，ID=250μA 时）。
●最大功率耗散（PD）：1.25W。
●工作温度范围：-55℃~150℃（结温）。
 
应用场景：
●便携式电子设备：如智能手机、平板电脑、智能手表等的电源管理电路，用于电源路径切换、负载开关控制，以小尺寸和低功耗特性适配紧凑设计。
●消费类电子：蓝牙音箱、便携式充电器、小型家电（如电动牙刷）的电源控制电路，实现高效的功率开关功能。
●低压电源模块：在 DC-DC 转换器、线性稳压器的外围电路中作为开关管，提高电源转换效率。
●嵌入式系统：微控制器（MCU）外围的传感器模块、外设接口的电源开关，通过低导通电阻减少待机功耗。
●电池保护电路：用于小型锂电池组的保护电路，控制充放电路径，保障电池使用安全。
 
NCE3400X N 沟道增强型功率 MOSFET       封装SOT-23        蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻：采用先进的沟槽工艺设计，导通电阻（RDS (on)）极低，能有效降低导通时的功率损耗，提高电路效率。
●高开关速度：栅极电荷低，开关响应迅速，适合高频开关应用，可减少开关过程中的能量损耗。
●高可靠性：具备良好的雪崩耐量和结温特性，经过全面的电气性能测试，稳定性和一致性优异，可在较宽的工作条件下可靠运行。
●环保特性：符合 RoHS 标准，无卤素设计，满足环保要求。
 
说明：
NCE3400X 是一款面向低压小功率应用的 N 沟道 MOSFET，结合了小尺寸封装、低导通电阻和高开关速度的特点，旨在为消费电子、便携式设备等场景提供高效、紧凑的功率开关解决方案。其设计兼顾了性能与空间效率，适用于对功耗、体积有严格要求的电子设备。
 
关键参数：
●漏源电压（VDS）：30V。
●连续漏极电流（ID）：4.5A（25℃时），2.8A（100℃时）。
●脉冲漏极电流（IDM）：18A。
●导通电阻（RDS (on)）：典型值 45mΩ，最大值 60mΩ（VGS=10V 时）。
●栅源电压（VGS）：±12V。
●阈值电压（VGS (th)）：1.0V~2.5V（VDS=VGS，ID=250μA 时）。
●最大功率耗散（PD）：1.25W。
●工作温度范围：-55℃~150℃（结温）。
 
应用场景：
●便携式电子设备：如智能手机、平板电脑、智能手表等的电源管理电路，用于电源路径切换、负载开关控制，以小尺寸和低功耗特性适配紧凑设计。
●消费类电子：蓝牙音箱、便携式充电器、小型家电（如电动牙刷）的电源控制电路，实现高效的功率开关功能。
●低压电源模块：在 DC-DC 转换器、线性稳压器的外围电路中作为开关管，提高电源转换效率。
●嵌入式系统：微控制器（MCU）外围的传感器模块、外设接口的电源开关，通过低导通电阻减少待机功耗。
●电池保护电路：用于小型锂电池组的保护电路，控制充放电路径，保障电池使用安全。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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