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NCE3401 P 沟道增强型功率 MOSFET 封装SOT-23 蓝信伟业
NCE3401 P 沟道增强型功率 MOSFET 封装SOT-23 蓝信伟业
NCE3401 P 沟道增强型功率 MOSFET      封装SOT-23        蓝信伟业
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NCE3401 P 沟道增强型功率 MOSFET      封装SOT-23        蓝信伟业
 
特征：
采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻 RDS (ON) 和低栅极电荷特性，能有效降低导通损耗和开关损耗，提高电路效率。可在低至 2.5V 的栅压下工作，具有高功率和高电流处理能力，且为无铅产品，符合环保要求。
 
说明：
NCE3401 是新洁能推出的一款高性能功率 MOSFET，通过优化的沟槽技术，使其在低压功率转换应用中表现出色。它能够在一定的电压和电流条件下稳定工作，为电路提供可靠的开关控制功能，有助于提升相关电子设备的电源管理效率和性能，且小尺寸封装便于在紧凑空间的电路中使用。
 
 
关键参数：
漏源电压（Vdss）为 30V，连续漏极电流（Id）为 4.2A，在栅源电压 VGS=10V、漏极电流 Id=4.2A 时，漏源导通电阻 RDS (ON) 为 55mΩ。功率耗散（Pd）为 1.2W，栅极阈值电压（VGS (th)）在漏极电流 Id=250μA 时为 1.3V，工作温度范围一般为 - 55℃至 + 175℃。
 
应用场景：
广泛应用于电源管理领域，如锂电池保护电路、DC-DC 转换器等，也可用于各类需要负载开关控制或 PWM 控制的电路，像小型便携式电子设备的电源开关控制、电机驱动电路中的功率控制等场景。
 
NCE3401 P 沟道增强型功率 MOSFET      封装SOT-23        蓝信伟业
 
特征：
采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻 RDS (ON) 和低栅极电荷特性，能有效降低导通损耗和开关损耗，提高电路效率。可在低至 2.5V 的栅压下工作，具有高功率和高电流处理能力，且为无铅产品，符合环保要求。
 
说明：
NCE3401 是新洁能推出的一款高性能功率 MOSFET，通过优化的沟槽技术，使其在低压功率转换应用中表现出色。它能够在一定的电压和电流条件下稳定工作，为电路提供可靠的开关控制功能，有助于提升相关电子设备的电源管理效率和性能，且小尺寸封装便于在紧凑空间的电路中使用。
 
 
关键参数：
漏源电压（Vdss）为 30V，连续漏极电流（Id）为 4.2A，在栅源电压 VGS=10V、漏极电流 Id=4.2A 时，漏源导通电阻 RDS (ON) 为 55mΩ。功率耗散（Pd）为 1.2W，栅极阈值电压（VGS (th)）在漏极电流 Id=250μA 时为 1.3V，工作温度范围一般为 - 55℃至 + 175℃。
 
应用场景：
广泛应用于电源管理领域，如锂电池保护电路、DC-DC 转换器等，也可用于各类需要负载开关控制或 PWM 控制的电路，像小型便携式电子设备的电源开关控制、电机驱动电路中的功率控制等场景。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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