BSC040N10NS5 N沟道功率MOSFET 封装TDSON-8-EP 深圳市蓝信伟业电子有限公司
BSC040N10NS5 N沟道功率MOSFET 封装TDSON-8-EP 深圳市蓝信伟业电子有限公司
BSC040N10NS5
价格: ¥4.000 - ¥4.000
库存: 1000
积分: 0
数量:
数量 单价 折扣
1-99 ¥4.00 ¥0
100-999 ¥3.50 ¥0.5
>=1000 ¥3.00 ¥1
        
详细介绍
商品属性
售后服务
评价信息(0)
商品咨询
BSC040N10NS5  N沟道功率MOSFET   封装TDSON-8-EP   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征:
●针对同步整流进行优化。
●非常适合高开关频率应用。
●输出电容降低高达44%。
●与前一代相比,RDS(on)降低高达43%。
●具有高系统效率,可降低开关和通态损耗。
●减少并联,增加功率密度。
●具有低电压过冲特性。
 
说明:
BSC040N10NS5是英飞凌OptiMOS™5系列中的一员,该系列器件专为同步整流在电信和服务器电源供应应用而设计,但同时也是太阳能、低压驱动器和笔记本电脑适配器等应用的理想选择。
 
关键参数:
●漏源电压(Vdss):100V
●连续漏极电流(Id):86A(也有说法为100A或136A,具体取决于测试条件和温度)
●导通电阻(RDS(on)):4mΩ@10V, 50A(也有说法为最大4.0mΩ)
●耗散功率(Pd):139W
●阈值电压(Vgs(th)):3.8V(也有说法为2.2V至3.8V或3V至4.6V,具体取决于测试条件)
●栅极电荷量(Qg):72nC@10V(也有说法为Qg(typ @10V)为58nC)
●输入电容(Ciss):5.3nF@50V(也有说法为Ciss 5300pF @50V(Vds)或Ciss 4100pF)
●反向传输电容(Crss):49pF@50V
●工作温度范围:-55℃至+150℃
 
应用场景:
●通信:用于电信基础设施和通讯设备中的电源管理。
●服务器:作为服务器电源供应中的关键组件,提高能效。
●太阳能:适用于太阳能逆变器和其他太阳能发电系统中的功率转换。
●低压驱动器:在轻型电动车和其他低压驱动应用中提供高效功率转换。
●适配器:用于笔记本电脑和其他设备的电源适配器中,提高能效和降低损耗。
 
BSC040N10NS5  N沟道功率MOSFET   封装TDSON-8-EP   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征:
●针对同步整流进行优化。
●非常适合高开关频率应用。
●输出电容降低高达44%。
●与前一代相比,RDS(on)降低高达43%。
●具有高系统效率,可降低开关和通态损耗。
●减少并联,增加功率密度。
●具有低电压过冲特性。
 
说明:
BSC040N10NS5是英飞凌OptiMOS™5系列中的一员,该系列器件专为同步整流在电信和服务器电源供应应用而设计,但同时也是太阳能、低压驱动器和笔记本电脑适配器等应用的理想选择。
 
关键参数:
●漏源电压(Vdss):100V
●连续漏极电流(Id):86A(也有说法为100A或136A,具体取决于测试条件和温度)
●导通电阻(RDS(on)):4mΩ@10V, 50A(也有说法为最大4.0mΩ)
●耗散功率(Pd):139W
●阈值电压(Vgs(th)):3.8V(也有说法为2.2V至3.8V或3V至4.6V,具体取决于测试条件)
●栅极电荷量(Qg):72nC@10V(也有说法为Qg(typ @10V)为58nC)
●输入电容(Ciss):5.3nF@50V(也有说法为Ciss 5300pF @50V(Vds)或Ciss 4100pF)
●反向传输电容(Crss):49pF@50V
●工作温度范围:-55℃至+150℃
 
应用场景:
●通信:用于电信基础设施和通讯设备中的电源管理。
●服务器:作为服务器电源供应中的关键组件,提高能效。
●太阳能:适用于太阳能逆变器和其他太阳能发电系统中的功率转换。
●低压驱动器:在轻型电动车和其他低压驱动应用中提供高效功率转换。
●适配器:用于笔记本电脑和其他设备的电源适配器中,提高能效和降低损耗。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ:800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
用微信扫一扫二维码,即可自动储存联系方式!  
为您推荐