热销产品
查看更多 >>
首页产品大全INFINEON/英飞凌/IR
BSC093N15NS5 N沟道MOSFET晶体管 封装TDSON-8或TO-263 深圳市蓝信伟业电子有限公司
BSC093N15NS5 N沟道MOSFET晶体管 封装TDSON-8或TO-263 深圳市蓝信伟业电子有限公司
BSC093N15NS5
价格: ￥4.500 - ￥5.500
库存: 3000
积分: 0
数量：
数量 单价 折扣
1-99 ￥5.50 ￥0
100-999 ￥5.00 ￥0.5
>=1000 ￥4.50 ￥1
        
详细介绍
商品属性
售后服务
评价信息(0)
商品咨询
BSC093N15NS5  N沟道MOSFET晶体管   封装TDSON-8或TO-263   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●高电压和高电流承受能力。
●低导通电阻。
●快速的开关时间。
●减少并联，缩小尺寸，实现更高的功率密度设计。
●更坚固耐用，有助于降低系统成本，改善电磁干扰行为。
 
说明：
英飞凌新推出的OptiMOS™5 150V功率MOSFET，特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。
该产品突破性地降低了RDS(on)（与SuperSO8中的下一个理想替代品相比高达25%）和Qrr，而不影响FOMgd和FOMOSS，从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。
此外，超低反向恢复电荷（在SuperSO8中，Qrr=26nC）提高了换流坚固性。
 
关键参数：
●额定电压：150V
●额定电流：93A（也有说法为连续漏极电流Id最大87A）
●导通电阻：0.015Ω（典型值为9.3mΩ@10V,44A）
●比较大功率：625W（也有说法为耗散功率Pd最大139W）
●工作温度范围：-55℃至150℃
●输入电容：4000pF（典型值为Ciss 2430pF或3.23nF@75V）
●输出电容：800pF（典型值为Coss 604pF或26pF@75V）
●开关时间：20ns
●栅极电荷：Qg 40.7nC@10V
●阈值电压：Vgs(th)为3.8V至4.6V
 
应用场景：
●主要应用于低压驱动器、通信、太阳能等领域。
●也适用于48V配电系统、电信基础设施、电源适配器和充电器等。
 
BSC093N15NS5  N沟道MOSFET晶体管   封装TDSON-8或TO-263   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●高电压和高电流承受能力。
●低导通电阻。
●快速的开关时间。
●减少并联，缩小尺寸，实现更高的功率密度设计。
●更坚固耐用，有助于降低系统成本，改善电磁干扰行为。
 
说明：
英飞凌新推出的OptiMOS™5 150V功率MOSFET，特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。
该产品突破性地降低了RDS(on)（与SuperSO8中的下一个理想替代品相比高达25%）和Qrr，而不影响FOMgd和FOMOSS，从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。
此外，超低反向恢复电荷（在SuperSO8中，Qrr=26nC）提高了换流坚固性。
 
关键参数：
●额定电压：150V
●额定电流：93A（也有说法为连续漏极电流Id最大87A）
●导通电阻：0.015Ω（典型值为9.3mΩ@10V,44A）
●比较大功率：625W（也有说法为耗散功率Pd最大139W）
●工作温度范围：-55℃至150℃
●输入电容：4000pF（典型值为Ciss 2430pF或3.23nF@75V）
●输出电容：800pF（典型值为Coss 604pF或26pF@75V）
●开关时间：20ns
●栅极电荷：Qg 40.7nC@10V
●阈值电压：Vgs(th)为3.8V至4.6V
 
应用场景：
●主要应用于低压驱动器、通信、太阳能等领域。
●也适用于48V配电系统、电信基础设施、电源适配器和充电器等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
用微信扫一扫二维码，即可自动储存联系方式！  
为您推荐