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NCE01P30K P 沟道增强型功率 MOSFET 封装 TO-252（DPAK） 蓝信伟业
NCE01P30K P 沟道增强型功率 MOSFET 封装 TO-252（DPAK） 蓝信伟业
NCE01P30K
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NCE01P30K  P 沟道增强型功率 MOSFET       封装 TO-252（DPAK）        蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻：采用先进的沟槽工艺设计，导通电阻（RDS (on)）极低，能有效降低导通时的功率损耗，提高电路效率。
●高可靠性：具备良好的雪崩耐量，经过全面的雪崩电压和电流表征，稳定性和一致性优异，可在较宽的工作条件下可靠运行。
●低栅极电荷：有助于加快开关速度，减少开关损耗，适合高频开关应用。
●环保特性：符合 RoHS 标准，无卤素设计，满足环保要求。
 
说明：
NCE01P30K 是一款面向低压功率控制领域的 P 沟道 MOSFET，结合了低导通电阻、高可靠性和紧凑封装的特点，旨在为电源管理、负载控制等场景提供高效、稳定的开关解决方案。其设计兼顾了性能与实用性，适用于对功耗、空间和可靠性有要求的电子设备。
 
关键参数：
●漏源电压（VDS）：-30V（反向耐压值）。
●连续漏极电流（ID）：-12A（25℃时），-8A（100℃时）。
●脉冲漏极电流（IDM）：-48A。
●导通电阻（RDS (on)）：典型值 18mΩ，最大值 22mΩ（VGS=-10V 时）。
●栅源电压（VGS）：±20V。
●阈值电压（VGS (th)）：-1.0V~-2.5V（VDS=VGS，ID=-250μA 时）。
●最大功率耗散（PD）：33W。
●工作温度范围：-55℃~175℃（结温）。
 
应用场景：
●电源管理：适用于 DC-DC 转换器、低压电源模块中的同步整流或电源路径切换，提高电源转换效率。
●电池供电设备：如笔记本电脑、便携式仪器、电动工具等的电池保护电路、电源开关，通过低导通电阻减少能量损耗，延长续航时间。
●负载开关：用于消费电子（如智能家居设备、机顶盒）中的负载通断控制，实现电路的低功耗管理。
●电机驱动：可用于小型直流电机（如玩具电机、微型风扇电机）的驱动电路，控制电机的启动、停止和转速调节。
●汽车电子：适用于汽车低压辅助电路（如车内照明、小型电机控制）的功率开关，满足汽车电子的可靠性要求。
 
NCE01P30K P 沟道增强型功率 MOSFET       封装 TO-252（DPAK）        蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻：采用先进的沟槽工艺设计，导通电阻（RDS (on)）极低，能有效降低导通时的功率损耗，提高电路效率。
●高可靠性：具备良好的雪崩耐量，经过全面的雪崩电压和电流表征，稳定性和一致性优异，可在较宽的工作条件下可靠运行。
●低栅极电荷：有助于加快开关速度，减少开关损耗，适合高频开关应用。
●环保特性：符合 RoHS 标准，无卤素设计，满足环保要求。
 
说明：
NCE01P30K 是一款面向低压功率控制领域的 P 沟道 MOSFET，结合了低导通电阻、高可靠性和紧凑封装的特点，旨在为电源管理、负载控制等场景提供高效、稳定的开关解决方案。其设计兼顾了性能与实用性，适用于对功耗、空间和可靠性有要求的电子设备。
 
关键参数：
●漏源电压（VDS）：-30V（反向耐压值）。
●连续漏极电流（ID）：-12A（25℃时），-8A（100℃时）。
●脉冲漏极电流（IDM）：-48A。
●导通电阻（RDS (on)）：典型值 18mΩ，最大值 22mΩ（VGS=-10V 时）。
●栅源电压（VGS）：±20V。
●阈值电压（VGS (th)）：-1.0V~-2.5V（VDS=VGS，ID=-250μA 时）。
●最大功率耗散（PD）：33W。
●工作温度范围：-55℃~175℃（结温）。
 
应用场景：
●电源管理：适用于 DC-DC 转换器、低压电源模块中的同步整流或电源路径切换，提高电源转换效率。
●电池供电设备：如笔记本电脑、便携式仪器、电动工具等的电池保护电路、电源开关，通过低导通电阻减少能量损耗，延长续航时间。
●负载开关：用于消费电子（如智能家居设备、机顶盒）中的负载通断控制，实现电路的低功耗管理。
●电机驱动：可用于小型直流电机（如玩具电机、微型风扇电机）的驱动电路，控制电机的启动、停止和转速调节。
●汽车电子：适用于汽车低压辅助电路（如车内照明、小型电机控制）的功率开关，满足汽车电子的可靠性要求。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
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