NCE0106R N 沟道增强型功率 MOSFET 封装SOT-223 蓝信伟业
NCE0106R N 沟道增强型功率 MOSFET 封装SOT-223 蓝信伟业
NCE0106R
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NCE0106R   N 沟道增强型功率 MOSFET       封装SOT-223        蓝信伟业
 
特征:
采用先进的沟槽技术和设计,具有低栅极电荷和优异的导通电阻(RDS (ON))。高密度电池设计实现了超低 RDS (ON),能有效降低导通损耗。其雪崩电压和电流经过完全表征,稳定性好,并且封装散热性能良好,符合 RoHS 标准且无卤素。
 
说明:
NCE0106R 是一款适用于多种功率应用的 N 沟道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高电压承受能力和良好的散热封装,可在各种电子设备中实现高效的功率控制。其低栅极电荷特性有助于提高开关速度,降低开关损耗,适用于高频开关电路。
 
关键参数:
●漏源电压(VDS):100V
●连续漏极电流(ID):6A(25℃),4.2A(100℃)
●脉冲漏极电流(IDM):24A
●最大功率耗散(PD):3W
●导通电阻(RDS (ON)):典型值 110mΩ,最大值 140mΩ(VGS=10V)
●栅源电压(VGS):±20V
●工作温度范围:-55℃~150℃
 
应用场景:
●电源管理:可用于开关电源、DC-DC 转换器等,作为功率开关管,实现电压变换和功率传输,提高电源效率。
●便携式电子设备:如智能手机、平板电脑的电源路径切换或负载开关,因其小尺寸封装和低功耗特性,适合空间有限且对功耗有要求的设备。
●工业控制:在一些小型工业控制设备中,用于电机的启动、停止控制,或对其他负载进行电源开关控制。
●不间断电源(UPS):可在 UPS 中起到开关切换作用,确保在市电中断或恢复时,能稳定地为负载供电。
 
NCE0106R   N 沟道增强型功率 MOSFET       封装SOT-223        蓝信伟业
 
特征:
采用先进的沟槽技术和设计,具有低栅极电荷和优异的导通电阻(RDS (ON))。高密度电池设计实现了超低 RDS (ON),能有效降低导通损耗。其雪崩电压和电流经过完全表征,稳定性好,并且封装散热性能良好,符合 RoHS 标准且无卤素。
 
说明:
NCE0106R 是一款适用于多种功率应用的 N 沟道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高电压承受能力和良好的散热封装,可在各种电子设备中实现高效的功率控制。其低栅极电荷特性有助于提高开关速度,降低开关损耗,适用于高频开关电路。
 
关键参数:
●漏源电压(VDS):100V
●连续漏极电流(ID):6A(25℃),4.2A(100℃)
●脉冲漏极电流(IDM):24A
●最大功率耗散(PD):3W
●导通电阻(RDS (ON)):典型值 110mΩ,最大值 140mΩ(VGS=10V)
●栅源电压(VGS):±20V
●工作温度范围:-55℃~150℃
 
应用场景:
●电源管理:可用于开关电源、DC-DC 转换器等,作为功率开关管,实现电压变换和功率传输,提高电源效率。
●便携式电子设备:如智能手机、平板电脑的电源路径切换或负载开关,因其小尺寸封装和低功耗特性,适合空间有限且对功耗有要求的设备。
●工业控制:在一些小型工业控制设备中,用于电机的启动、停止控制,或对其他负载进行电源开关控制。
●不间断电源(UPS):可在 UPS 中起到开关切换作用,确保在市电中断或恢复时,能稳定地为负载供电。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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