NCE6080K N 沟道增强型功率 MOSFET 封装TO-252(DPAK) 蓝信伟业
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NCE6080K    N 沟道增强型功率 MOSFET       封装TO-252(DPAK)       蓝信伟业
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NCE6080K    N 沟道增强型功率 MOSFET       封装TO-252(DPAK)       蓝信伟业
 
特征:
采用先进的沟槽技术和设计,具有低栅极电荷和优异的导通电阻(RDS (ON))。高密度电池设计实现了超低导通电阻,能有效降低导通损耗。同时,它的雪崩电压和电流经过完全表征,稳定性和均匀性好,具有较高的 EAS(等效雪崩能量),并且封装散热性能良好。
 
说明:
NCE6080K 是一款高功率 N 沟道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力和良好的散热封装,可在多种电子电路中实现高效的功率控制。其内部结构和工艺设计使其能在较宽的温度范围内稳定工作,适用于对可靠性和效率要求较高的场合。
 
关键参数:
●漏源电压(Vdss):60V。
●连续漏极电流(Id):80A。
●功率(Pd):110W。
●导通电阻(RDS (on)):在 Vgs=10V、Id=20A 时,典型值为 6mΩ - 7mΩ,最大值 8.5mΩ。
●栅源击穿电压(Vgs):±20V。
●阈值电压(Vgs (th)):在 Vds=Vgs、Id=250μA 时,为 2V - 4V。
●栅极电荷(Qg):90nC。
●输出电容(Coss):290PF。
●反向传输电容(Crss):210PF。
●工作温度范围:-55℃~+175℃。
 
应用场景:
●电机驱动:可用于有刷直流电机和无刷直流电机驱动电路,如医疗床、机械臂等设备中的电机控制,能有效控制电机的启动、停止和转速。
●电源管理:在开关电源、DC-DC 转换器中作为开关管,实现电压变换和功率传输,提高电源效率。
●功率开关电路:常用于脉宽调制(PWM)电路和负载切换电路,如在一些需要根据信号控制电源通断的设备中,可作为功率开关元件。
●汽车电子:可应用于汽车的电源系统、电动座椅调节、车窗升降等电路,负责相关负载的电源控制和驱动。
 
NCE6080K    N 沟道增强型功率 MOSFET       封装TO-252(DPAK)       蓝信伟业
 
特征:
采用先进的沟槽技术和设计,具有低栅极电荷和优异的导通电阻(RDS (ON))。高密度电池设计实现了超低导通电阻,能有效降低导通损耗。同时,它的雪崩电压和电流经过完全表征,稳定性和均匀性好,具有较高的 EAS(等效雪崩能量),并且封装散热性能良好。
 
说明:
NCE6080K 是一款高功率 N 沟道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力和良好的散热封装,可在多种电子电路中实现高效的功率控制。其内部结构和工艺设计使其能在较宽的温度范围内稳定工作,适用于对可靠性和效率要求较高的场合。
 
关键参数:
●漏源电压(Vdss):60V。
●连续漏极电流(Id):80A。
●功率(Pd):110W。
●导通电阻(RDS (on)):在 Vgs=10V、Id=20A 时,典型值为 6mΩ - 7mΩ,最大值 8.5mΩ。
●栅源击穿电压(Vgs):±20V。
●阈值电压(Vgs (th)):在 Vds=Vgs、Id=250μA 时,为 2V - 4V。
●栅极电荷(Qg):90nC。
●输出电容(Coss):290PF。
●反向传输电容(Crss):210PF。
●工作温度范围:-55℃~+175℃。
 
应用场景:
●电机驱动:可用于有刷直流电机和无刷直流电机驱动电路,如医疗床、机械臂等设备中的电机控制,能有效控制电机的启动、停止和转速。
●电源管理:在开关电源、DC-DC 转换器中作为开关管,实现电压变换和功率传输,提高电源效率。
●功率开关电路:常用于脉宽调制(PWM)电路和负载切换电路,如在一些需要根据信号控制电源通断的设备中,可作为功率开关元件。
●汽车电子:可应用于汽车的电源系统、电动座椅调节、车窗升降等电路,负责相关负载的电源控制和驱动。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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