热销产品
查看更多 >>
首页产品大全NEXPERIA/安世
PMV50EPEAR P沟道MOS场效应晶体管 SOT23-6 蓝信伟业
PMV50EPEAR P沟道MOS场效应晶体管 SOT23-6 蓝信伟业
PMV50EPEAR P沟道MOS场效应晶体管  SOT23-6 蓝信伟业
价格: ￥0.700 - ￥1.200
库存: 1300
积分: 0
数量：
数量 单价 折扣
1-99 ￥1.20 ￥0
100-999 ￥0.90 ￥0.3
>=1000 ￥0.70 ￥0.5
        
详细介绍
商品属性
售后服务
评价信息(0)
商品咨询
PMV50EPEAR特征：
●属P 沟道 MOSFET，具有低阈值电压、低栅极电荷等特点，开关速度较快，能在较低的栅极电压下实现导通，并且具有较好的抗静电能力和稳定性。
 
PMV50EPEAR概述：
由 Nexperia 设计生产，是一款小信号 P 沟道 MOS 场效应晶体管，在低电压、低功耗的电路设计中具有广泛的应用，能够有效地控制电流的通断和流向。
 
PMV50EPEAR参数：
●漏源电压 30V，
●连续漏极电流 4.2A，
●栅极电荷 19.2nC，
●阈值电压 1V@250µA，
●功率耗散 480mW，
●封装为 SOT - 23。
 
应用场景：
▲常用于各种电子设备的电源管理电路、音频放大器、信号开关等电路中，可作为电子开关用于控制电路的通断，也可用于放大音频信号等。
 
PMV50EPEAR特征：
●属P 沟道 MOSFET，具有低阈值电压、低栅极电荷等特点，开关速度较快，能在较低的栅极电压下实现导通，并且具有较好的抗静电能力和稳定性。
 
PMV50EPEAR概述：
由 Nexperia 设计生产，是一款小信号 P 沟道 MOS 场效应晶体管，在低电压、低功耗的电路设计中具有广泛的应用，能够有效地控制电流的通断和流向。
 
PMV50EPEAR参数：
●漏源电压 30V，
●连续漏极电流 4.2A，
●栅极电荷 19.2nC，
●阈值电压 1V@250µA，
●功率耗散 480mW，
●封装为 SOT - 23。
 
应用场景：
▲常用于各种电子设备的电源管理电路、音频放大器、信号开关等电路中，可作为电子开关用于控制电路的通断，也可用于放大音频信号等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
用微信扫一扫二维码，即可自动储存联系方式！
为您推荐