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DMP2240UW-7 P 沟道增强型 MOSFET 封装SOT-323 蓝信伟业
DMP2240UW-7 P 沟道增强型 MOSFET 封装SOT-323 蓝信伟业
DMP2240UW-7
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DMP2240UW-7    P 沟道增强型 MOSFET       封装SOT-323       蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻：在 VGS=-4.5V 时，导通电阻（RDS (on)）典型值仅为 65mΩ，能有效降低导通时的功率损耗，提高电路效率。
●低阈值电压：栅极阈值电压（VGS (th)）典型值为 - 1.0V（最大值 - 2.0V），适合低电压驱动场景，可直接由 MCU 的 GPIO 口控制。
●小封装高集成：小型封装结合低功耗特性，适合便携式设备的电源管理设计。
●无铅环保：符合 RoHS 标准，采用无铅封装，满足环保要求。
 
说明：
DMP2240UW-7 是一款面向低电压、小电流应用的 P 沟道 MOSFET，以小型化、低导通电阻和低阈值电压为核心优势，旨在为便携式电子设备、消费类产品提供高效的电源开关解决方案。其设计注重低功耗和空间效率，能在有限的电路空间内实现可靠的开关控制，是小型电子系统中电源管理的理想选择。
 
关键参数：
●漏源电压（VDS）：-30V（可承受的反向耐压）。
●连续漏极电流（ID）：-2.3A（25℃时），-1.5A（100℃时）。
●导通电阻（RDS (on)）：典型值 65mΩ（VGS=-4.5V，ID=-1.15A），最大值 90mΩ。
●栅源电压（VGS）：±8V。
●栅极阈值电压（VGS (th)）：-1.0V（典型值），-2.0V（最大值，VDS=VGS，ID=-250μA）。
●工作温度范围：-55℃~150℃（结温）。
 
应用场景：
●便携式电子设备：如智能手机、平板电脑、智能手表等的电源路径切换、电池保护电路。
●消费类电子：MP3 播放器、蓝牙耳机、小型充电器等的负载开关控制。
●低电压电源管理：在 3.3V/5V 电源系统中作为电源开关，实现电路的上电 / 断电控制。
●嵌入式系统：微控制器（MCU）外围电路的低功耗开关，如传感器模块的电源控制，以降低待机功耗。
●电池供电设备：用于电池到负载的电源通路控制，通过低导通电阻减少能量损耗，延长续航时间。
 
DMP2240UW-7    P 沟道增强型 MOSFET       封装SOT-323       蓝信伟业
 
特征：
●低导通电阻：在 VGS=-4.5V 时，导通电阻（RDS (on)）典型值仅为 65mΩ，能有效降低导通时的功率损耗，提高电路效率。
●低阈值电压：栅极阈值电压（VGS (th)）典型值为 - 1.0V（最大值 - 2.0V），适合低电压驱动场景，可直接由 MCU 的 GPIO 口控制。
●小封装高集成：小型封装结合低功耗特性，适合便携式设备的电源管理设计。
●无铅环保：符合 RoHS 标准，采用无铅封装，满足环保要求。
 
说明：
DMP2240UW-7 是一款面向低电压、小电流应用的 P 沟道 MOSFET，以小型化、低导通电阻和低阈值电压为核心优势，旨在为便携式电子设备、消费类产品提供高效的电源开关解决方案。其设计注重低功耗和空间效率，能在有限的电路空间内实现可靠的开关控制，是小型电子系统中电源管理的理想选择。
 
关键参数：
●漏源电压（VDS）：-30V（可承受的反向耐压）。
●连续漏极电流（ID）：-2.3A（25℃时），-1.5A（100℃时）。
●导通电阻（RDS (on)）：典型值 65mΩ（VGS=-4.5V，ID=-1.15A），最大值 90mΩ。
●栅源电压（VGS）：±8V。
●栅极阈值电压（VGS (th)）：-1.0V（典型值），-2.0V（最大值，VDS=VGS，ID=-250μA）。
●工作温度范围：-55℃~150℃（结温）。
 
应用场景：
●便携式电子设备：如智能手机、平板电脑、智能手表等的电源路径切换、电池保护电路。
●消费类电子：MP3 播放器、蓝牙耳机、小型充电器等的负载开关控制。
●低电压电源管理：在 3.3V/5V 电源系统中作为电源开关，实现电路的上电 / 断电控制。
●嵌入式系统：微控制器（MCU）外围电路的低功耗开关，如传感器模块的电源控制，以降低待机功耗。
●电池供电设备：用于电池到负载的电源通路控制，通过低导通电阻减少能量损耗，延长续航时间。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
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