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AO3416 双N沟道增强型MOSFET SOT23 蓝信伟业
AO3416 双N沟道增强型MOSFET SOT23 蓝信伟业
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AO3416特征：
●低导通电阻，
●低栅极阈值电压，
●快速开关速度，
●ESD 抗扰度好。
 
AO3416概述：
是一款双 N 沟道增强型 MOSFET，主要用于电子电路中的开关和放大器。
 
AO3416参数：
●PD 最大耗散功率 1.4W，
●ID 最大漏源电流 6.5A，
●V (BR) DSS 漏源击穿电压 20V，
●RDS (ON)Ω 内阻 22mΩ，
●VGS (th) 开启电压 0.4V 至 1.1V。
 
应用场景：
▲广泛应用于电源管理模块、负载开关和电机驱动、逻辑电平信号转换等场景，如移动设备、平板电脑、消费电子和汽车电子等。
 
AO3416特征：
●低导通电阻，
●低栅极阈值电压，
●快速开关速度，
●ESD 抗扰度好。
 
AO3416概述：
是一款双 N 沟道增强型 MOSFET，主要用于电子电路中的开关和放大器。
 
AO3416参数：
●PD 最大耗散功率 1.4W，
●ID 最大漏源电流 6.5A，
●V (BR) DSS 漏源击穿电压 20V，
●RDS (ON)Ω 内阻 22mΩ，
●VGS (th) 开启电压 0.4V 至 1.1V。
 
应用场景：
▲广泛应用于电源管理模块、负载开关和电机驱动、逻辑电平信号转换等场景，如移动设备、平板电脑、消费电子和汽车电子等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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