NCE6003XM N沟道增强型功率MOSFET SOT89 蓝信伟业
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NCE6003XM特征:
●N沟道增强型功率 MOSFET,
●使用先进的沟槽技术,
●具有高功率和电流处理能力,
●无铅产品,表面贴装封装
 
NCE6003XM概述:
能够提供优异的 RDS(ON)和低栅极电荷,适用于用作电池保护或其他开关应用。
 
NCE6003XM参数:
●VDS=60V,ID=3A,
●RDS(ON)<78mΩ(@VGS=10V),
●RDS(ON)<96mΩ(@VGS=4.5V)。
 
应用场景:
▲主要应用于电池开关、DC/DC 转换器等电路中,用于实现高效的电源开关和转换功能。
 
NCE6003XM特征:
●N沟道增强型功率 MOSFET,
●使用先进的沟槽技术,
●具有高功率和电流处理能力,
●无铅产品,表面贴装封装
 
NCE6003XM概述:
能够提供优异的 RDS(ON)和低栅极电荷,适用于用作电池保护或其他开关应用。
 
NCE6003XM参数:
●VDS=60V,ID=3A,
●RDS(ON)<78mΩ(@VGS=10V),
●RDS(ON)<96mΩ(@VGS=4.5V)。
 
应用场景:
▲主要应用于电池开关、DC/DC 转换器等电路中,用于实现高效的电源开关和转换功能。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
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